[发明专利]一种新型制备tic晶须的生产工艺方法

权利要求书

1.一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%-70%、碳30%-45%、卤化物5%-15%和催化剂2%-8%。

2.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤

S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；

S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；

S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；

S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；

S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；

S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。

3.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。

4.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述催化剂为镍粉或钴粉。

5.根据所述权利要求2的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。

6.根据所述权利要求2的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S4步骤中预制压力为180MPa-220MPa。

7.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。

8.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。

9.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。