[发明专利]一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器在审
| 申请号： | 201910022216.0 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109814050A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;黄旭庭 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻薄膜 薄膜磁阻传感器 电极 桥式 应用 各向异性磁阻 串并联方式 磁阻传感器 电极结构 电流方向 相位相差 磁化轴 磁阻膜 线性区 测量 | ||
1.一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，该桥式薄膜磁阻传感器应用Barber电极实现，包括从下到上依次叠加的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)、Barber电极层(4)和顶层电极层(5)；其中，各向异性磁阻层(3)包括第一磁阻薄膜条(A)、第二磁阻薄膜条(B)、第三磁阻薄膜条(C)、第四磁阻薄膜条(D)，该四条各向异性磁阻效应完全相同的磁阻薄膜条按串并联方式连接，第一磁阻薄膜条(A)与第二磁阻薄膜条(B)相差的相位为90°，第二磁阻薄膜条(B)与第三磁阻薄膜条(C)相位相差90°，第三磁阻薄膜条(C)与第四磁阻薄膜条(D)相差的相位为90°，第四磁阻薄膜条(D)与第一磁阻薄膜条(A)相差的相位为90°；其中第一磁阻薄膜条(A)与第三磁阻薄膜条(C)平行，第二磁阻薄膜条(B)与第四磁阻薄膜条(D)平行，并且磁阻膜条上都应用了Barber电极结构，Barber电极的方向与各向异性磁阻薄膜的长轴方向成45°。
2.按照权利要求1所述的一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述各向异性磁阻层(3)的四条各向异性磁阻效应完全相同的磁阻薄膜条选用的是具有各向异性磁阻效应的铁镍合金。
3.按照权利要求2所述的一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述铁镍合金中铁的含量为20％。
4.按照权利要求1所述的一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述第一磁阻薄膜条(A)、第二磁阻薄膜条(B)、第三磁阻薄膜条(C)、第四磁阻薄膜条(D)的平面形状为连续连接的S形。
5.按照权利要求1所述的一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述衬底(1)采用的材料是Si。
6.按照权利要求1所述的一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述绝缘层(2)采用的是SiO2，具有非磁性、良好的绝缘性、稳定的化学性质、强度硬度高拉伸性好。
7.按照权利要求书1所述的一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，Barber电极层(4)采用的材料为铝。
8.按照权利要求书1所述的一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，顶层电极层(5)所用的材料是铜。
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