[发明专利]多层电容器

说明书

本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多个介电层以及分别暴露于所述主体在长度方向上的相对的表面的多个第一内电极和多个第二内电极，相应介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体在所述长度方向上的相对端，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述多个第一内电极和所述多个第二内电极包括镍(Ni)和锑(Sb)或锗(Ge)。

本申请要求于2018年4月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0041460号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种多层陶瓷电容器(或多层电容器)。

背景技术

随着电子装置已经趋向于变得更多功能并更紧凑，已经要求电子组件小型化并高度集成。

特别地，在多层陶瓷电容器(MLCC)的作为通用电子组件的目的和用途已经不断增加的情况下，通过开发基于较薄的介电层和内电极的超高容量产品来提前主导市场的竞争激烈。

随着MLCC具有越来越高的容量，介电层和内电极的厚度减小，这导致短路、DC偏置故障和可靠性故障。

随着内电极变得更薄而频繁发生短路的原因之一是在制造多层电容器的工艺中的烧结期间发生的电极卷曲。

通常，内电极利用镍形成。金属具有这样的特性：其较高的表面张力使其表面的宽度在高温下减小，从而变为球形。因此，当内电极被烧结时，镍内电极在电介质烧结的温度下不能保持平坦形式，而由于镍的高的表面张力特性而卷曲(或成簇)。

为了解决导致多层电容器中的短路故障的镍内电极的卷曲问题，需要降低表面张力。

发明内容

本公开的一方面可提供一种具有改善的可靠性的多层电容器。

根据本公开的一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括多个介电层以及分别暴露于所述主体在长度方向上的相对的表面的多个第一内电极和多个第二内电极，相应的介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体在所述长度方向上的相对端，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述多个第一内电极和所述多个第二内电极包括镍(Ni)和锑(Sb)。

基于所述第一内电极和所述第二内电极的总含量，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极中的Sb的含量可在0.01at％至5at％的范围内。

基于所述第一内电极和所述第二内电极的总含量，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极中的Sb的含量可在0.1at％至1at％的范围内。

所述多个第一内电极和所述多个第二内电极还可包括锗(Ge)。

基于所述第一内电极和所述第二内电极的总含量，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极中的Ge的含量可为0.01at％至5at％。

基于所述第一内电极和所述第二内电极的总含量，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极中的Ge含量可在0.1at％至1at％范围内。

根据本公开的另一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括多个介电层以及分别暴露于所述主体在长度方向上的相对的表面的多个第一内电极和多个第二内电极，相应的介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体在所述长度方向上的相对端，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述多个第一内电极和所述多个第二内电极包括镍(Ni)和锗(Ge)。

基于所述第一内电极和所述第二内电极的总含量，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极中的Ge的含量可为0.01at％至5at％。