[发明专利]一种薄膜晶体管器件、驱动电路及显示装置

说明书

本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种薄膜晶体管器件、驱动电路以及显示装置，薄膜晶体管器件包括衬底、设于衬底上的栅极层、设于栅极层上的阻挡层、设于阻挡层表面的有源层、设于有源层表面的源极势垒层和漏极势垒层、设于源极势垒层表面的源极层以及设于漏极势垒层表面的漏极层，其中，源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，增加了薄膜晶体管内部的势垒能障，提升薄膜晶体管的稳定性，改善显示面板的残影现象，实现了提升背沟道刻蚀的薄膜晶体管结构中的背沟道界面状态，降低薄膜晶体管的漏电，消除显示面板出现的残影的目的。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种薄膜二极管器件、驱动电路及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)具有迁移率高、制作工艺简单、大面积均匀性好、制造成本低等优点，被认为是驱动发光二极管(Light Emitting Diode，LED)显示最具潜力的器件。在TFT的制造技术中，背沟道刻蚀(Back Channel Etch，BCE)工艺是非晶硅TFT常见的工艺，只需四次光刻即可形成 TFT：第一道光刻工艺形成TFT的栅极，第二道光刻工艺形成TFT的半导体层，第三道光刻工艺形成TFT的源极和漏极，第四道光刻工艺形成TFT的钝化层过孔。因BCE工艺只需要四块掩膜版和工艺步骤较少而被现有非晶硅(a-Si)TFT面板生产线广泛采用。

然而，现有的背沟道刻蚀的薄膜晶体管结构中的背沟道界面状态较差，会导致薄膜晶体管的漏电较大，从而使得显示面板产生残影的现象。

发明内容

本申请的目的在于提供一种薄膜二极管器件，旨在实现提升背沟道刻蚀的薄膜晶体管结构中的背沟道界面状态，降低薄膜晶体管的漏电，消除显示面板出现的残影的目的。

本申请是这样实现的，一种薄膜二极管器件，包括：

衬底；

设于所述衬底的栅极层，其中，所述衬底的表面包括第一预设区域和第二预设区域，所述栅极层设于所述衬底表面的第一预设区域；

设于所述栅极层的阻挡层，其中，所述阻挡层设于所述栅极层表面以及所述衬底表面的第二预设区域；

设于所述阻挡层表面的有源层，所述有源层表面包括第三预设区域和第四预设区域，所述第三预设区域与所述第四预设区域互不接触；

设于所述有源层表面的源极势垒层和漏极势垒层，其中，所述源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，所述漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，所述源极势垒层位于所述有源层表面的第三预设区域，所述漏极势垒层位于所述有源层表面的第四预设区域；

设于所述源极势垒层表面的源极层；以及

设于所述漏极势垒层表面的漏极层。

可选的，所述源极势垒层包括：

设于所述有源层表面的第一源极掺杂层，其中，所述第一源极掺杂层位于所述有源层表面的第三预设区域；

设于所述第一源极掺杂层表面的第二源极掺杂层；

设于所述第二源极掺杂层表面的第三源极掺杂层；以及

设于所述第三源极掺杂层表面的第四源极掺杂层；

所述第一源极掺杂层、所述第二源极掺杂层、所述第三源极掺杂层以及所述第四源极掺杂层的掺杂浓度互不相同。

可选的，所述第一源极掺杂层具有第一源极掺杂浓度，所述第二源极掺杂层具有第二源极掺杂浓度，所述第三源极掺杂层具有第三源极掺杂浓度，所述第四源极掺杂层具有第四源极掺杂浓度；