[发明专利]铋硫基超导单晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910019939.5 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109576773A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈永亮;崔雅静;文志伟;刘世恒;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C30B1/10 | 分类号： | C30B1/10;C30B29/46;H01B12/00 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶体 硫基 助熔剂 制备 原料混合物 混合物 化学计量比 超导性能 超导转变 晶体结构 随炉冷却 用水冲洗 烧结 再研磨 质量比 称量 | ||
【权利要求书】：
1.一种铋硫基超导单晶体，其分子式为LaO1-xBiS2，其中0.07≤x≤0.25。
2.一种制备权利要求1所述的铋硫基超导单晶体的方法，其作法是：
A、将La2S3、Bi2S3、Bi2O3、Bi和S共五种物质，按照LaO1-xBiS2，0.07≤x≤0.25的化学计量比称量，再研磨混合均匀得原料混合物；
B、将原料混合物与助熔剂CsCl按1：5～10的质量比均匀混合，得原料-助熔剂混合物；
C、将原料-助熔剂混合物密封于真空石英管中，900～1000℃烧结8～12小时；然后以0.5℃～2℃/小时的降温速度降温至600～800℃；之后随炉冷却至室温；去除掉石英管后，用去离子水冲洗10～20次以除去CsCl；最后在50～100℃下干燥5～10小时，即得。
3.如权利要求2所述的制备铋硫基超导单晶体的方法，其特征在于：所述的步骤A的操作和步骤B的操作，均在氩气保护气氛下进行。
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