[发明专利]用于薄基板搬运的静电载体有效
申请号: | 201910019606.2 | 申请日: | 2014-07-24 |
公开(公告)号: | CN110085546B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 迈克尔·S·考克斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 薄基板 搬运 静电 载体 | ||
1.一种静电卡盘,所述静电卡盘包括:
支撑层,所述支撑层具有底表面,所述底表面界定所述静电卡盘的底部;
介电层,所述介电层具有顶表面,所述顶表面界定所述静电卡盘的顶部,所述介电层设置在所述支撑层上;
第一电极,所述第一电极设置于所述介电层的所述顶表面与所述支撑层之间;
第一连接器,所述第一连接器耦接至所述支撑层的所述底表面;及
第一导线,所述第一导线连接所述第一连接器及所述第一电极,其中所述第一导线形成在所述支撑层和所述介电层的外围外表面上。
2.如权利要求1所述的静电卡盘,其中所述第一连接器包括导电焊盘。
3.如权利要求1所述的静电卡盘,其中所述支撑层和所述介电层包含玻璃或陶瓷材料。
4.如权利要求1所述的静电卡盘,其中所述介电层具有热膨胀系数,所述介电层的所述热膨胀系数等于所述支撑层的热膨胀系数。
5.如权利要求1所述的静电卡盘,其中所述第一连接器被配置成接触导电弹簧。
6.如权利要求1所述的静电卡盘,进一步包括:
第二电极,其中所述第一电极包括多个指状件,所述第一电极的所述多个指状件与所述第二电极的多个指状件相交错。
7.如权利要求1所述的静电卡盘,其中所述介电层的所述顶表面中形成有气体通道,所述气体通道朝向所述介电层的外围表面开口,其中所述介电层没有连接至所述气体通道的通孔。
8.如权利要求6所述的静电卡盘,所述静电卡盘进一步包括:
第二连接器,所述第二连接器耦接至所述第二电极并暴露于所述静电卡盘的所述底部,其中第二导线形成于所述支撑层和所述介电层的外围表面上,所述第二导线连接所述第二连接器与所述第二电极。
9.一种用于夹持基板的设备,所述设备包括:
基座构件;
静电卡盘,所述静电卡盘设置于所述基座构件的顶表面上,所述静电卡盘包括:
支撑层,所述支撑层具有底表面,所述底表面界定所述静电卡盘的底部;
介电层,所述介电层具有顶表面,所述顶表面界定所述静电卡盘的顶部;
第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第二电极设置在所述介电层的所述顶表面和所述支撑层的所述顶表面之间;及
导线,所述导线将所述第一电极及所述第二电极电耦接至设置在所述支撑层上的连接器,其中所述导线形成在所述支撑层和所述介电层的外围外表面上。
10.如权利要求9所述的设备,其中所述基座构件的所述顶表面适于接收所述静电卡盘。
11.如权利要求9所述的设备,其中所述静电卡盘进一步包括:
一个或更多个气体输送槽,所述一个或更多个气体输送槽形成于所述静电卡盘的所述顶表面中,所述一个或更多个气体输送槽开口于所述基座构件的所述顶表面上方。
12.如权利要求9所述的设备,其中没有气体导管形成为穿过所述静电卡盘。
13.如权利要求9所述的设备,其中所述静电卡盘及所述基座构件具有电连接件,所述电连接件被配置成响应于所述静电卡盘相对于所述基座构件的位置而自动啮合及脱离。
14.如权利要求9所述的设备,其中所述支撑层和所述介电层包含玻璃或陶瓷材料。
15.如权利要求9所述的设备,其中所述介电层具有热膨胀系数,所述介电层的所述热膨胀系数等于所述支撑层的热膨胀系数。
16.如权利要求9所述的设备,其中所述第一电极包括多个指状件,所述第一电极的所述多个指状件与所述第二电极的多个指状件相交错。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造