[发明专利]一种量子点发光复合物的制备方法有效
| 申请号: | 201910018305.8 | 申请日: | 2019-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN109735323B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 刘翠;郭京龙;刘妍;梁济元;曹元成 | 申请(专利权)人: | 江汉大学 |
| 主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/88 |
| 代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
| 地址: | 430056 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 量子 点发 复合物 制备 方法 | ||
本发明公开了一种量子点发光复合物的制备方法,包括如下步骤:(1)在室温下将羧甲基钠淀粉溶解在水中并进行搅拌以混合,直至淀粉为透明凝胶,然后静置过夜,将上层澄清溶液冷冻干燥,得到白色粉末;(2)在室温下,将所述白色粉末放入搅拌状态下的3‑巯基丙酸包覆的水溶性CdTeQDs溶液中,然后静置除去上层溶液,将所得物进行冷冻干燥,研磨,获得QDs‑淀粉复合粉末。本发明通过羧甲基钠淀粉和CdTe QDs制备分散良好且高度发光的量子点复合粉末。有效的解决粉末类QD易团聚,荧光性质变差等问题。
技术领域
本发明涉及纳米材料技术领域;具体地,涉及一种量子点发光复合物的制备方法。
背景技术
量子点(QD)由纳米级的有限数量的原子组成。常见的量子点由这些半导体元素组成,例如IIB-VIA族元素(CdSe,CdTe和ZnSe)或IIIA-VA族元素(InP)和InAs)。作为新型半导体纳米材料,QD具有许多独特的性质。发射光谱可通过尺寸调节,并具有宽范围的激发波长;强抗光漂白,耐化学降解,高量子产率和摩尔消光系数,荧光寿命长。这些出色的光学和电学特性使其成为最具吸引力的材料,在光电器件,生物医学和分析,光采集和显示技术方面具有潜在的应用。
目前有许多合成QD的方法,最经济的方法是通过湿化学法。因此,在大多数应用中,QD以胶体溶液的形式使用。然而在材料开发的大多数情况下,胶体材料在运输,加工和储存中遇到很多挑战,因此极大地阻碍了它们的应用。粉末状QDs及其分散剂具有较长的保质期和即时加工性能,尤其在聚合物纳米复合材料的发展中具有重要的应用前景。但由于纳米粒子之间的高表面能和较小的库仑和范德瓦尔斯力,粉末形式的纯QD难以制备且易聚集,荧光性质因此改变。在大多数情况下,这些聚集是不可避免的。
发明内容
针对现有技术中上述量子点聚集的缺陷,本发明的主要目的在于提供一种量子点发光复合物的制备方法,制备得到了良好分散性的量子点发光复合物,且量子产率高。
为了实现上述目的,在基础的实施方案中,本发明提供一种量子点发光复合物的制备方法,包括如下步骤:
(1)在室温下将羧甲基钠淀粉溶解在水中并进行搅拌以混合,直至淀粉为透明凝胶,然后静置过夜,将上层澄清溶液冷冻干燥,得到白色粉末;
(2)在室温下,将所述白色粉末放入搅拌状态下的3-巯基丙酸(MAP)包覆的水溶性CdTe QDs溶液中,然后静置除去上层溶液,将所得物进行冷冻干燥,研磨,获得QDs-淀粉复合粉末。
在一种优选的实施方案中,所述步骤(2)中,3-巯基丙酸(MAP)包覆的水溶性CdTeQDs溶液的制备,包括如下步骤:
将CdCl2溶解在双蒸水中并在搅拌下加MAP,随后通过N2鼓泡调节pH=11-12,持续20-50分钟;将NaBH4粉末加入到不含O2的双蒸水中,摇匀并用冰浴洗涤;在冰浴下将Te粉末加入NaBH4溶液中以制备NaHTe溶液;然后将CdCl2溶液与NaHTe溶液混合,并在100℃下搅拌回流不同时间以获得各种发射波长QD;然后使用丙酮将产物沉淀在离心管中,在洗涤步骤之后,将CdTe QDs样品在超声波下分散在蒸馏水中,得到CdTe QDs溶液。
在一种优选的实施方案中,QDS在复合粉末中的含量在1×10-6mol/g至2×10-6mol/g之间。
在一种优选的实施方案中,所述室温为10-35℃。
本发明另一方面提供了上述制备方法制得的QDs-淀粉复合粉末,作为量子点发光复合物。
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