[发明专利]一种锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料的制备和应用

权利要求书

1.一种锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料制备方法，其特征在于所述的制备方法包括如下步骤：

1)原料质量份配比

2)制备

采用一步煅烧法制备出具有大容量储钠特性的锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料，其步骤如下：

根据步骤1)所述的原料质量份配比，分别称取小球藻、钼源和锡源，加入去离子水中，快速搅拌6-24h；离心后沉淀物进行烘干，得到墨绿色块状固体；

将所得墨绿色块状固体称重后加入硫粉进行混合，在Ar 95％/H₂ 5％气氛管式炉中煅烧，得到黑色固体样品，即为锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料；

所述少层为1-4层。

2.根据权利要求1所述的一种锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料制备方法，其特征在于所述钼源为磷钼酸、钼酸铵或钼酸钠。

3.根据权利要求1所述的一种锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料制备方法，其特征在于所述锡源为硫酸亚锡、氯化亚锡或硫酸锡。

4.根据权利要求1所述的一种锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料制备方法，其特征在于所述的烘干，其温度为60-100℃。

5.根据权利要求1所述的一种锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料制备方法，其特征在于所述的墨绿色块状固体与硫粉混合，是按照质量比为1：2-4进行的。

6.根据权利要求1所述的一种锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料制备方法，其特征在于所述的煅烧，煅烧温度为500-700℃，煅烧时间为1-3小时。

7.一种锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料应用，其特征在于将权利要求1制备的所述锡掺杂诱导合成1T-2H混相少层二硫化钼-小球藻衍生碳复合材料应用于钠离子电池负极中。