[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，位于所述衬底上；所述叠层结构中包括所述三维存储器的最底层栅极；

沟槽，穿过所述叠层结构，并至少延伸至所述最底层栅极的下表面以下；

绝缘层，位于所述沟槽内；所述绝缘层至少覆盖所述最底层栅极的朝向所述沟槽的侧壁；

所述沟槽内具有第一沟道通孔，所述第一沟道通孔内形成有沟道结构；

所述沟槽的开口尺寸大于所述第一沟道通孔的开口尺寸；

所述第一沟道通孔为所述三维存储器的最边缘沟道通孔；或者，所述第一沟道通孔位于四周排布的沟道通孔相对于所述第一沟道通孔呈不对称排列的位置；

所述三维存储器还包括次边缘沟道通孔，所述次边缘沟道通孔内具有第二外延层，所述第二外延层的侧壁与所述最底层栅极的朝向所述次边缘沟道通孔的侧壁接触。

2.一种三维存储器，其特征在于，包括：

沟槽；

第一外延层，位于所述沟槽内；

绝缘层，至少位于所述沟槽的侧壁与所述第一外延层的侧壁之间；

所述沟槽内具有第一沟道通孔，所述第一沟道通孔内具有所述第一外延层以及位于所述第一外延层上的沟道结构；

所述沟槽的开口尺寸大于所述第一沟道通孔的开口尺寸；

所述第一沟道通孔为所述三维存储器的最边缘沟道通孔；或者，所述第一沟道通孔位于四周排布的沟道通孔相对于所述第一沟道通孔呈不对称排列的位置；

所述三维存储器还包括次边缘沟道通孔，所述次边缘沟道通孔内具有第二外延层，所述第二外延层的侧壁与所述三维存储器的最底层栅极的朝向所述次边缘沟道通孔的侧壁接触。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一沟道通孔为所述三维存储器的虚拟沟道通孔。

4.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括若干沟道通孔，所述沟槽的开口尺寸大于所述沟道通孔的开口尺寸。

5.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一外延层的侧壁处存在空隙。

6.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述第二外延层的侧壁与所述次边缘沟道通孔的侧壁相接触，中间不存在空隙。

7.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘层选自与氮化硅在相同的刻蚀条件下具有不同的刻蚀速率的材料。

8.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化物。

9.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成叠层结构；所述叠层结构中包括最底层牺牲层；

刻蚀所述叠层结构形成沟槽，所述沟槽至少延伸至所述最底层牺牲层的下表面以下；

在所述沟槽内填充绝缘层；所述绝缘层至少覆盖所述最底层牺牲层的朝向所述沟槽的侧壁；

刻蚀所述绝缘层和所述叠层结构以分别形成第一沟道通孔和次边缘沟道通孔；在所述第一沟道通孔内形成沟道结构；

所述沟槽的开口尺寸大于所述第一沟道通孔的开口尺寸；

所述第一沟道通孔为所述三维存储器的最边缘沟道通孔；或者，所述第一沟道通孔位于四周排布的沟道通孔相对于所述第一沟道通孔呈不对称排列的位置；

所述次边缘沟道通孔内具有第二外延层，所述第二外延层的侧壁与所述最底层牺牲层的朝向所述次边缘沟道通孔的侧壁接触。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一沟道通孔为所述三维存储器的虚拟沟道通孔。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：刻蚀所述叠层结构形成若干沟道通孔；所述沟槽的开口尺寸大于所述沟道通孔的开口尺寸。