[发明专利]一种基于超薄金属的透明导电薄膜有效
| 申请号： | 201910015540.X | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109778129B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 宋伟杰;王肇肇;李佳;黄金华;杨晔;许君君 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;H01B5/14 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 谢潇 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 超薄 金属 透明 导电 薄膜 | ||
1.一种基于超薄金属的透明导电薄膜，包括自下而上依次设置的底部介电层、超薄金属层和顶部介电层，其特征在于：所述的超薄金属层为银层，所述的底部介电层和所述的顶部介电层的化学组成均为MxZn1-xO，其中，所述的底部介电层的平均表面粗糙度为0.1～0.3nm，M为掺杂元素，M为Mg、In、Gd中任意一种，x为M的掺杂量与M和Zn的总量的质量比，x=0.005～0.5；所述的底部介电层和所述的顶部介电层均由M的氧化物靶材在室温下射频或中频磁控溅射沉积得到，所述的超薄金属层在室温下通过直流磁控溅射成膜；所述的底部介电层和所述的顶部介电层的厚度均为10～60nm，所述的超薄金属层的厚度为8～12nm。
2.根据权利要求1所述的一种基于超薄金属的透明导电薄膜，其特征在于：M为Mg，M以MgO的形式掺入ZnO中得到所述的MxZn1-xO，x=0.24。
3.根据权利要求1所述的一种基于超薄金属的透明导电薄膜，其特征在于：M为In，M以In2O3的形式掺入ZnO中得到所述的MxZn1-xO，x=0.06。
4.根据权利要求1所述的一种基于超薄金属的透明导电薄膜，其特征在于：M为Gd，M以Gd2O3的形式掺入ZnO中得到所述的MxZn1-xO，x=0.01。
5.根据权利要求1所述的一种基于超薄金属的透明导电薄膜，其特征在于：所述的底部介电层和所述的顶部介电层的厚度分别为40nm，所述的超薄金属层的厚度为10nm。
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