[发明专利]一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法

权利要求书

1.一种Micro LED，位于衬底基板上，其特征在于，所述Micro LED包括：

N型半导体层；

P型半导体层；

位于N型半导体层和P型半导体层之间的发光层；

与所述N型半导体层接触的N型电极；

与所述P型半导体层接触的P型电极；

所述P型电极和所述N型电极在所述衬底基板上的正投影不重合，且所述P型电极和所述N型电极的高度差大于或者等于3微米；

其中，所述Micro LED位于所述衬底基板上的外延层上，所述外延层包括相互独立的第一区域和第二区域，第一区域和第二区域存在厚度差；

所述N型半导体层位于整个所述外延层上，所述N型电极位于所述N型半导体层上且所述N型电极在所述外延层上的正投影落入所述第一区域；

所述发光层位于所述N型半导体层上且所述发光层在所述外延层上的正投影落入所述第二区域，所述P型半导体层位于所述发光层上，所述P型电极位于所述P型半导体层上；

或

所述N型半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分存在厚度差；

所述N型电极位于所述N型半导体层的所述第一部分上；

所述发光层位于所述N型半导体层的第二部分上，所述P型半导体层位于所述发光层上，所述P型电极位于所述P型半导体上且所述P型电极在所述N型半导体层上的正投影落入所述第二部分；

或

所述衬底基板包括多个Micro LED形成区域，每个Micro LED形成区域均包括相互独立的第三区域和第四区域，所述第三区域与所述第四区域存在厚度差；

所述N型电极位于所述N型半导体层上且所述N型电极在所述衬底上的正投影落入所述第三区域；

所述发光层位于所述N型半导体层上且所述发光层在所述衬底基板上的正投影落入所述第四区域，所述P型半导体位于所述发光层上，所述P型电极位于所述P型半导体层上。

2.根据权利要求1所述的Micro LED，其特征在于，所述Micro LED还包括透明电极；

所述透明电极位于所述P型半导体层与所述P型电极之间。

3.一种Micro LED阵列基板，其特征在于，包括阵列排布在衬底基板上的多个如权利要求1或2所述的Micro LED。

4.一种检测设备，其特征在于，用于对如权利要求1或2所述的Micro LED进行亮度检测，所述检测设备包括：

正负加电探针和光电探测器，所述正负加电探针长度差大于或者等于所述P型电极与所述N型电极的高度差。

5.根据权利要求4所述的检测设备，其特征在于，所述正负加电探针长度差大于所述P型电极与所述N型电极的高度差。

6.根据权利要求4或者5所述的检测设备，其特征在于，所述正负加电探针均为柔性结构。

7.一种检测方法，其特征在于，将权利要求4至6中任一项所述的检测设备压接在如权利要求1或2所述的Micro LED上，使得所述检测设备的正极加电探针与P型电极接触，所述检测设备的负极加电探针与N型电极接触。