[发明专利]一种N型SnS单晶热电材料及其制备方法有效
申请号: | 201910014872.6 | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN111416032B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 赵立东;胡学高 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H01L35/34 | 分类号: | H01L35/34;H01L35/16;C30B11/02;C30B29/46 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘奇 |
地址: | 100000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sns 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种N型SnS单晶热电材料的制备方法,包括以下步骤:
将Sn粉、S粉和SnBr2粉混合,球磨,得到多晶型SnS粉末;
将所述多晶型SnS粉末进行定向凝固,得到N型SnS单晶热电材料;
所述定向凝固在垂直温度梯度管式炉中进行;
石英管的底部位于垂直温度梯度管式炉的低温区;所述石英管的上端位于垂直温度梯度管式炉的高温区;
所述高温区与低温区的温度差为100℃;
所述高温区先以55~65℃/h的速率升温至1000~1100℃,保温600~1000min;再以0.5~1℃/h的速率降温至700~800℃后,随炉冷却;
所述低温区先以55~65℃/h的速率升温至900~1000℃,保温600~1000min;再以0.5~1℃/h的速率降温至600~700℃后,随炉冷却;
所述高温区与低温区的升温速率相同;所述高温区与低温区的降温速率相同;所述高温区和低温区的保温时间相同;
所述Sn粉、S粉和SnBr2粉按照Sn、S和Br的摩尔比为1:(1-x):x的配比进行混合;
所述x的取值范围为:0.01≤x≤0.02。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述球磨在保护气体中进行。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述球磨的时间≥24h,所述球磨的转速≥150rpm,所述球磨的球料比≥20。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述多晶型SnS粉末置于石英管中;
所述石英管为双层石英管;所述双层石英管的内层石英管的底部为锥形,所述锥形的角度θ≤45°。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述定向凝固在真空条件下进行,所述真空条件的真空度≤10-3Pa。
6.权利要求1~5任一项所述的制备方法制备得到的N型SnS单晶热电材料,所述N型SnS单晶热电材料的化学式为SnS1-xBrx;
其中,0.01≤x≤0.02。
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