[发明专利]LDO电路

说明书

本发明公开了一种LDO电路,包括：过冲抑制电路和LDO主体电路；过冲抑制电路包括电流比较器，电流比较器包括两个比较电流源和二者之间的作为开关的第二PMOS管，第二PMOS管的栅极连接尾电流对应的镜像NMOS管的栅极。过冲抑制电路还包括第一电容和第三PMOS管。第三PMOS管的漏极连接到LDO主体电路的第一PMOS管的栅极。在上电过程中，在电源电压上升到小于等于镜像NMOS管和第二PMOS管的阈值电压的和之前，第二PMOS管关断，第一比较电流源会拉低第三PMOS管的栅极电压从而会使第一PMOS管的栅极电压随电源电压变化，从而防止上电过冲；上电结束后第三PMOS管断开从而会避免对LDO主体电路产生影响。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造，特别是涉及一种低压差线性稳压器(LDO)电路。

背景技术

如图1所示，是现有LDO电路图；现有LDO电路包括一个差分放大器、PMOS管PM2和有电阻R0和R1组成的电阻串，差分放大器的一个输入端连接参考电压VREF，另一个输入端连接由电阻串对LDO输出电压V_LDO分压后形成的反馈电压VFD，PMOS管PM2的漏极输出LDO输出电压V_LDO,PMOS管PM2的源极连接电源电压VCC。图1中所示的差分放大器包括由NMOS管NM0和NM1组成的差分放大器主体电路，由PMOS管PM0和PM1组成的有源负载电路，以及由NMOS管NMirr0和NMirr1组成的镜像电路，NMOS管NMirr0的漏极输入偏置电流源IB，NMOS管NMirr1提供尾电流；在PMOS管PM2的栅极和漏极之间还串联有补偿电阻Rc和补偿电容Cc。节点NB为NMOS管NMirr0和NMirr1的栅极连接点，节点PB为PMOS管PM0和PM1的栅极连接点，节点PG为PMOS管PM2的栅极连接点。

图1所示的电路结构的缺点是在上电启动时LDO输出电压V_LDO会产生过冲，而LDO输出电压V_LDO一般连接到低压器件，过冲的LDO输出电压V_LDO会对后续的低压器件产生如击穿等不利影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种LDO电路，能消除LDO输出电压上电过冲。

为解决上述技术问题，本发明提供的LDO电路包括：过冲抑制电路和LDO主体电路。

所述LDO主体电路包括差分放大器、第一PMOS管和串联电阻；所述差分放大器的第一输入端连接参考电压、第二输入端连接反馈电压、输出端连接到所述第一PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极连接电源电压，所述串联电阻连接在所述第一PMOS管的漏极和地之间，由所述第一PMOS管的漏极输出LDO输出电压，所述串联电阻对所述LDO输出电压分压后得到所述反馈电压。

所述差分放大器包括尾电流；所述尾电流由第一镜像NMOS管和第二镜像NMOS管组成的镜像电路提供，所述第一镜像NMOS管的源极和所述第二镜像NMOS管的源极都接地，所述第二镜像NMOS管的漏极提供所述尾电流；所述第二镜像NMOS管的栅极连接所述第一镜像NMOS管的漏极和栅极，所述第一镜像NMOS管的漏极输入偏置电流源，通过所述第一镜像NMOS管和所述第二镜像NMOS管的镜像在所述第二镜像NMOS管中形成所述尾电流。

所述过冲抑制电路包括电流比较器，所述电流比较器包括第一比较电流源、第二比较电流源和第二PMOS管，所述第二比较电流源的电流大于所述第一比较电流源的电流，所述第一比较电流源连接在所述第二PMOS管的漏极和地之间，所述第二比较电流源连接在所述第二PMOS管的源极和电源电压之间。

所述第二PMOS管的栅极连接所述第一镜像NMOS管的栅极。

所述过冲抑制电路还包括第一电容和第三PMOS管。

所述第三PMOS管的栅极连接所述第一电容的第一端，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第三PMOS管的漏极连接到所述第一PMOS管的栅极，令所述第一PMOS管的栅极的连接点为第一节点以及所述第一电容的第一端为第二节点。