[发明专利]5G毫米波无源正交多波束平面阵列天线有效

专利信息
申请号: 201910014137.5 申请日: 2019-01-08
公开(公告)号: CN109755734B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 郝张成;陶明翠 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q3/30;H01Q21/00;H01Q21/06;H01Q21/29
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 毫米波 无源 正交 波束 平面 阵列 天线
【权利要求书】:

1.一种5G毫米波无源正交多波束平面阵列天线,其特征在于:包括设于上层馈电加辐射介质基片(3)上的正交激励共口径缝隙天线阵列(9)和一组基片集成波导转基片集成同轴线的过渡结构(7),以及分布在下层馈电介质基片(1)、中间层馈电介质基片(2)和上层馈电加辐射介质基片(3)上的两组折叠式卡塞格伦反射面波束馈电网络;

所述正交激励共口径缝隙天线阵列(9)的每个缝隙单元由基片集成波导和基片集成同轴线两路方式正交激励,实现共口径辐射;所述基片集成同轴线的金属条带(8)设于上层馈电加辐射介质基片(3)的中间金属层;上述两路激励方式对应着两组折叠式卡塞格伦反射面波束馈电网络;

所述基片集成波导转基片集成同轴线的过渡结构(7)用于衔接折叠式卡塞格伦反射面波束馈电网络的输出端口和正交激励共口径缝隙天线阵列(9)基片集成同轴线一路激励的输入端口;所述过渡结构(7)包括设于上层馈电加辐射介质基片(3)的上层介质层中的一排金属盲孔(71),以及设于上层馈电加辐射介质基片(3)的中间金属层上的缝隙结构(72)。

2.根据权利要求1所述的5G毫米波无源正交多波束平面阵列天线,其特征在于:所述折叠式卡塞格伦反射面波束馈电网络由基片集成波导输入端口(51)、双曲反射柱面(53)、抛物反射柱面(55)、基片集成波导输出端口(56)和两段连接壁组成,所述折叠式卡塞格伦反射面波束馈电网络的介质层为两层及其以上结构,层间耦合通过长缝实现。

3.根据权利要求2所述的5G毫米波无源正交多波束平面阵列天线,其特征在于:所述折叠式卡塞格伦反射面波束馈电网络的输入端口偏焦对称放置,不同的端口在工作时,会在网络输出端口形成具有不同相位差分布的场,激励缝隙阵列,从而在空间中产生不同指向的波束,两组波束馈电网络分别控制空间两个正交平面内的波束扫描。

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