[发明专利]一种大电流低功耗检测采集电路

权利要求书

1.一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，包括两个连接供电电压的比例电阻R1和R2，电阻R1和电阻R2的电阻比为4:1；电阻R1连接第一电流镜，电阻R2连接第二电流镜；所述电阻R2上还连接有金属寄生电阻RM，RM和R2之间连接有功率管；所述第一电流镜上接入短路电路Isc；

所述第一电流镜的一端和第二电流镜的一端串联后依次串联接两个三极管，并且与电阻R5连接；所述第一电流镜在串联接连两个三极管中间连接VCCS系统，所述VCCS系统包含一个PNP三极管QP29和一个NPN三极管QN44；

所述第一电流镜的另一端依次串联两个三极管，然后连接电阻R3；所述第二电流镜的另一端依次串联两个三极管，然后连接电阻R4；且两个电流镜的另一端之间构成一对比例电流源；

所述第二电流镜另一端连接的两个三极管之间连接两个并联的三极管；

所述电阻R3和电阻R4的电阻比为2:1；

所述电阻R3、电阻R4和电阻R5均接地；

第一电流镜包括与电阻R1并联的PNP三极管QP24和PNP三极管QP23；其中QP24和QP23的发射极与电阻R1连接；QP24和QP23的基极同时与QP23的集电极连接；QP24和QP23的发射极还接入短路电路Isc；第二电流镜包括与电阻R2连接的PNP三极管QP22和QP21；其中QP22和QP21的发射极与电阻R2连接；QP22和QP21的基极同时与QP22的集电极连接；

当输出电流较小时，寄生电阻RM上的压降忽略，QN45与QN47构成一对2:1的比例电流源，而第二电流镜与第一电流镜构成一对4:1比例电流源；

随着输出电流的增大，当输出电流达到临界限流保护点时，电阻RM上的压降增大，不能忽略，使得第二电流镜的发射极电压降低，直至第二电流镜与第一电流镜的电流大小满足2:1关系，VCCS节点不再对外输出电流；

当输出电流进一步增大或者功率管输出与地短路时，第二电流镜与第一电流镜的电流小于2:1关系，VCCS节点电压降低,抽取功率管的基极电流，从而实现限流保护。

2.根据权利要求1所述的一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，所述第一电流镜为与电阻R1并联的两个三极管，且两个三极管的基极连接；第二电流镜为与电阻R2并联的两个三极管，且两个三极管的基极连接。

3.根据权利要求1所述的一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，所述第一电流镜和第二电流镜的两个三极管均为PNP三极管。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，所述电阻R1的阻值为8KΩ，电阻R2的阻值为2KΩ。

5.根据权利要求4所述的一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，所述第一电流镜和第二电流镜构成一对1:4的比例电流源。

6.根据权利要求1所述的一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，所述第一电流镜和第二电流镜两端连接的两个三极管依次为PNP三极管和NPN三极管。

7.根据权利要求6所述的一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，所述第一电流镜和第二电流镜另一端连接的两个NPN三极管形成一对比例电流源。

8.根据权利要求1所述的一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，所述金属寄生电阻RM的阻值为60mΩ。

9.根据权利要求1所述的一种大电流低功耗检测采集电路，其特征在于，所述第二电流镜另一端连接的两个三极管之间连接的两个并联的三极管的发射极连接。