[发明专利]一种稳压电路

说明书

本发明公开了一种稳压电路，包括：双极型晶体管Q1、Q2、Q3；PMOS晶体管M30、M31、M32、M33；NMOS晶体管M40、M41；电阻R1、R2、R3、R4、R41；运算放大器A1，缓冲器B1、B2；电容Cc。本发明采用了带隙原理，实现了输出电压与环境温度无关。另外，采用了低输出阻抗单位增益缓冲器输入至双极型晶体管的基极，提高了输出电压的整体稳定性，同时具有较高的PSRR。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种与环境温度无关的稳压电路。

背景技术

在模拟集成电路领域中，稳压电路是非常重要的一个模块，它用来给集成电路中的其他功能模块供电，然而随着工作时间的延续或者周围环境的变化，集成电路中的各功能模块的发热情况不同，导致了各功能模块的环境温度不同，而现有的集成电路越来越微型化，从而环境温度对各模块的供电影响越来越大。

因而，本领域迫切需要一种与环境温度无关的稳压电路，其能够为集成电路系统中的各功能模块提供稳定的电压，且不管环境温度的变化其输出电压总是保持不变。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种与环境温度无关的稳压电路，该稳压电采用带隙原理，结构简单，稳定性高。

为实现上述目的，本发明提供的一种稳压电路，包括：双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2、双极型晶体管Q3；PMOS晶体管M30、PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33；NMOS晶体管M40、NMOS晶体管M41；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R41；运算放大器A1，缓冲器B1、缓冲器B2；电容Cc；

其中，PMOS晶体管M30、PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33的源极连接电源VDD端，PMOS晶体管M30的栅极分别连接PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33的栅极；PMOS晶体管M30的漏极分别连接双极型晶体管Q1的发射极和电阻R1的一端，电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端和缓冲器B1的输入端，缓冲器B1的输出端连接双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2的基极；电阻R2的另一端和双极型晶体管Q1的集电极接地；

PMOS晶体管M31的漏极分别连接双极型晶体管Q2的发射极和运算放大器A1的反相输入端，双极型晶体管Q2的集电极接地；运算放大器A1的输出端连接PMOS晶体管M31的栅极；运算放大器A1的正相输入端连接NMOS晶体管M41的栅极；

NMOS晶体管M40的漏极连接PMOS晶体管M32的栅极；NMOS晶体管M40的栅极分别连接电阻R41的一端和NMOS晶体管M41的漏极，NMOS晶体管M40的源极接地；PMOS晶体管M32的漏极连接双极型晶体管Q3的发射极，双极型晶体管Q3的基极连接缓冲器B2的输出端，双极型晶体管Q3的集电极接地；电阻R41的一端连接电源VDD端，另一端连接NMOS晶体管M41的漏极；NMOS晶体管M41的源极接地；

电容Cc的一端连接电源VDD端，另一端连接PMOS晶体管M33的栅极；PMOS晶体管M33的源极连接电源VDD端，漏极连接电阻R3的一端，并作为稳压电路的输出端；电阻R3的另一端连接缓冲器B2的输入端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地。

优选的，在上述的一种稳压电路中，缓冲器B1、缓冲器B2均包括PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、PMOS晶体管M5、PMOS晶体管M7；NMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M6、NMOS晶体管M8、NMOS晶体管Ms1；电阻R8、电容Cc1；