[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201910012396.4 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109768126B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一图形化衬底；
在所述图形化衬底上依次生长低温成核层、高温缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层；
其中，所述高温缓冲层包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层均为GaN层，生长所述高温缓冲层包括：
在生长温度为1100～1150℃的环境下，在所述低温成核层上生长第一子层；
在生长温度为1040～1070℃的环境下，在所述第一子层上生长第二子层；
所述第一子层的生长时间大于所述第二子层的生长时间；
所述提供一图形化衬底，包括：
在蓝宝石衬底上沉积一层SiO2薄膜；
在SiO2薄膜上形成一层光刻胶掩膜，采用光刻技术将所述光刻胶掩膜图形化，以在所述光刻胶掩膜上形成图形；
采用刻蚀工艺将所述光刻胶掩膜上的图形轮廓传递到SiO2薄膜上，在SiO2薄膜上形成图形。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高温缓冲层的厚度为0.5～2um。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层与所述第二子层的厚度比为3：1。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高温缓冲层的生长压力为30～500torr。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层的生长压力高于所述第二子层的生长压力。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层的生长压力与所述第二子层的生长压力之比为3：1。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高温缓冲层的生长时间为t，0＜t≤20min。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层与所述第二子层的生长时间的比值为3:1。
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