[发明专利]一种SOI器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910011406.2 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109860098B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 宿晓慧;李博;李彬鸿;黄杨;李多力;卜建辉;韩郑生;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/48;H01L23/498;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soi 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种SOI器件结构的制备方法，所述SOI器件结构包括由下至上的背衬底层、第一绝缘层、器件层，其特征在于，包括：
对所述背衬底层进行刻蚀，保留所述背衬底层中与所述器件层的多个MOS器件沟道区正对的多个第一背衬底层区域，刻蚀掉相邻的所述第一背衬底层区域之间的区域，形成隔离区域，所述第一背衬底层区域完全覆盖所述MOS器件沟道区正对方向的区域，且不超出所述MOS器件有源区正对方向的区域；
在所述第一背衬底层上形成第二绝缘层，使其填充隔离区域；
形成从所述第二绝缘层表面连通每个所述第一背衬底层的接触孔，采用导电材料填充每个接触孔，并在所述第二绝缘层表面形成每个接触孔的导电结构。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述背衬底层进行刻蚀之前，还包括：
将所述背衬底层减薄。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述背衬底层进行刻蚀之前，还包括：
在所述器件层上制备MOS器件；或者
在形成从所述第二绝缘层表面连通所述每个接触孔，采用导电材料填充所述每个接触孔，并在所述第二绝缘层表面形成所述每个接触孔的导电结构之后，还包括：
在所述器件层上制备MOS器件。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均采用如下任意一种绝缘材料：
二氧化硅、氮化硅、玻璃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件层和所述第一背衬底层均采用如下任意一种半导体材料：
硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅。
6.一种SOI器件结构，其特征在于，包括：
第一绝缘层；
位于所述第一绝缘层上方的器件层，所述器件层用于制备多个MOS器件；
在所述第一绝缘层下方正对每个MOS器件沟道区均有第一背衬底层，所述第一背衬底层区域完全覆盖所述MOS器件沟道区正对方向的区域，且不超出所述MOS器件有源区正对方向的区域；
在每个所述第一背衬底层的表面以及相邻的第一背衬底层之间隔离有第二绝缘层；
从所述第二绝缘层表面连通至每个所述第一背衬底层的接触孔；
每个接触孔内填充有导电材料；
在所述第二绝缘层表面形成每个接触孔的导电结构。
7.如权利要求6所述的SOI器件结构，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层均采用如下任意一种绝缘材料：
二氧化硅、氮化硅、玻璃。
8.如权利要求6所述的SOI器件结构，其特征在于，所述第一背衬底层和所述器件层具体采用如下任意一种半导体材料：
硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
