[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体层，具有第1面及与上述第1面对置的第2面；

发射极电极，设置在上述半导体层的上述第1面侧；

集电极电极，设置在上述半导体层的上述第2面侧；

第1栅极电极，设置在上述半导体层的上述第1面侧；

第2栅极电极，设置在上述半导体层的上述第2面侧；

第1导电型的漂移区域，设置在上述半导体层中；

第2导电型的集电极区域，在上述半导体层中设置在上述漂移区域与上述第2面之间的一部分处，一部分与上述第2栅极电极对置，一部分与上述集电极电极接触；以及

第1导电型的区域，在上述半导体层中设置在上述集电极区域与上述第2面之间的一部分处，一部分与上述第2栅极电极对置，一部分与上述集电极电极接触；

在将上述集电极电极与上述集电极区域接触的部分定义为接触面，

将存在于上述接触面中的线段上、且距上述第2栅极电极最远的点定义为第2点，上述线段在位于上述接触面的第1点与最近的上述第2栅极电极的连线上，

将上述第2点与距上述第2点最近的上述第2栅极电极之间的距离定义为有效栅极距离的情况下，

具有第1有效栅极距离及与上述第1有效栅极距离不同的第2有效栅极距离。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述接触面存在多个。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备设置在上述漂移区域与上述第2面之间、第1导电型杂质浓度比上述漂移区域高的第1导电型的缓冲区域。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

上述缓冲区域具有位于上述第2栅极电极与上述漂移区域之间的第1区域、和位于上述集电极电极与上述漂移区域之间的第2区域，上述第1区域的第1导电型杂质浓度比上述第2区域的第1导电型杂质浓度高。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在与上述第2面垂直的截面中，上述集电极电极和上述第2栅极电极交替地配置，上述集电极电极在上述截面中具有不同的宽度。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

当从接通状态对上述第1栅极电极施加不到阈值电压的电压而向断开状态转移时，在对上述第1栅极电极施加不到阈值电压的电压之后，设置时间差，而向上述第2栅极电极施加阈值电压以上的电压，上述接通状态中对上述第1栅极电极施加了阈值电压以上的电压。

7.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体层，具有第1面及与上述第1面对置的第2面；

发射极电极，设置在上述半导体层的上述第1面侧；

第1集电极电极，设置在上述半导体层的上述第2面侧；

第2集电极电极，设置在上述半导体层的上述第2面侧；

第1栅极电极，设置在上述半导体层的上述第1面侧；

第2栅极电极，设置在上述半导体层的上述第2面侧；

第1导电型的漂移区域，设置在上述半导体层中；

第2导电型的第1集电极区域，在上述半导体层中设置在上述漂移区域与上述第2面之间的一部分处，一部分与上述第2栅极电极对置，一部分与上述第1集电极电极接触；

第1导电型的区域，在上述半导体层中设置在上述第1集电极区域与上述第2面之间的一部分处，一部分与上述第2栅极电极对置，一部分与上述第1集电极电极接触；以及

第2导电型的第2集电极区域，在上述半导体层中设置在上述漂移区域与上述第2面之间的一部分处，一部分与上述第2集电极电极接触；

上述第2集电极电极的与上述第2面接触的部分全部与上述第2集电极区域接触。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1集电极区域与上述第2集电极区域接触。