[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板(01)和辅助电极(02)，以及沿远离所述衬底基板(01)的方向依次排布的薄膜晶体管(03)、第一绝缘层(04)、公共电极(05)、第二绝缘层(06)和像素电极(07)，

所述第一绝缘层(04)具有第一过孔(A1)，且所述第一过孔(A1)在所述衬底基板(01)上的正投影区域与所述薄膜晶体管(03)的漏极(031)在所述衬底基板(01)上的正投影区域存在重叠；所述第二绝缘层(06)具有第二过孔(A2)，且所述第二过孔(A2)在所述衬底基板(01)上的正投影区域与所述辅助电极(02)在所述衬底基板(01)上的正投影区域存在重叠，所述第二过孔(A2)在所述衬底基板(01)上的正投影区域包括：位于所述第一过孔(A1)在所述衬底基板(01)上的正投影区域外的区域和位于目标侧壁(C)在所述衬底基板(01)上的正投影区域内的区域，所述目标侧壁(C)为所述第一过孔(A1)中靠近所述第二过孔(A2)的侧壁；

所述辅助电极(02)位于所述第一绝缘层(04)和所述第二绝缘层(06)之间，且与所述公共电极(05)绝缘，所述辅助电极(02)通过所述第一过孔(A1)与所述漏极(031)连接，所述辅助电极(02)远离所述衬底基板(01)的一侧具有凹坑，所述凹坑填充有所述第二绝缘层(06)，所述像素电极(07)通过所述第二过孔(A2)与所述辅助电极(02)连接，其中，所述像素电极(07)通过所述第二过孔(A2)还与所述辅助电极(02)中位于所述目标侧壁(C)上的部分连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层(04)包括：沿远离所述薄膜晶体管(03)的方向依次排布的无机绝缘层(041)和有机绝缘层(042)，

所述有机绝缘层(042)具有有机层过孔，所述无机绝缘层(041)具有无机层过孔，所述有机层过孔与所述无机层过孔连通且组成所述第一过孔(A1)。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板(01)的方向上，所述有机绝缘层(042)的厚度大于所述无机绝缘层(041)的厚度。

4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：电极图案(X)，所述电极图案(X)包括所述公共电极(05)和所述辅助电极(02)。

5.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极(05)具有镂空区域(051)，所述辅助电极(02)在所述衬底基板(01)上的正投影区域位于所述镂空区域(051)在所述衬底基板(01)上的正投影区域内。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极(02)在所述衬底基板(01)上的正投影区域呈第一矩形，所述镂空区域(051)在所述衬底基板(01)上的正投影区域呈第二矩形。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管；

在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成具有第一过孔的第一绝缘层，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域与所述薄膜晶体管的漏极在所述衬底基板上的正投影区域存在重叠；

在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成相互绝缘的公共电极和辅助电极，所述辅助电极通过所述第一过孔与所述漏极连接，所述辅助电极远离所述衬底基板的一侧具有凹坑，所述凹坑填充有第二绝缘层；

在形成有所述公共电极和所述辅助电极的衬底基板上形成具有第二过孔的所述第二绝缘层，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影区域存在重叠，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影区域包括：位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影区域外的区域和位于目标侧壁在所述衬底基板上的正投影区域内的区域，所述目标侧壁为所述第一过孔中靠近所述第二过孔的侧壁；

在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述辅助电极连接，其中，所述像素电极通过所述第二过孔还与所述辅助电极中位于所述目标侧壁上的部分连接。