[发明专利]一种频率可调太赫兹多带吸收器有效
| 申请号： | 201910007698.2 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN109888506B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王玥;崔子健;朱冬颖;岳莉莎 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H01Q15/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 频率 可调 赫兹 吸收 | ||
1.一种频率可调太赫兹多带吸收器，其特征在于，包括固定在可旋转平台上的吸收器本体，吸收器本体的吸收表面上排布有若干个吸收单元，每个吸收单元均包括自上而下紧密贴合的金属图样层(3)、损耗介质层(2)和底部全反射层(1)三层结构，所述金属图样层(3)包括四对以吸收单元表面中心对称的H形金属图样对称结构，每对H形金属图样对称结构均包含两个H形金属结构，四对H形金属图样对称结构以顺时针方向依次均匀排列，依次分别为H形金属结构A(4)、H形金属结构B(5)、H形金属结构C(6)、H形金属结构D(7)，其中，H形金属结构A(4)位于时针12点和时针6点位置，H形金属结构D(7)位于时针4:30和时针10:30位置，所述H形金属结构A(4)、H形金属结构B(5)、H形金属结构C(6)、H形金属结构D(7)具有不同的几何参数，其中，H形金属结构A(4)垂直于轴向的短边长度为20μm，H形金属结构B(5)垂直于轴向的短边长度为12μm，H形金属结构C(6)垂直于轴向的短边长度为16μm，H形金属结构D(7)垂直于轴向的短边长度为8μm，所述H形金属结构A(4)、H形金属结构B(5)、H形金属结构C(6)、H形金属结构D(7)距离单元中心距离相同，距离D为50μm，所述H形金属结构A(4)、H形金属结构B(5)、H形金属结构C(6)、H形金属结构D(7)相邻之间的距离小于各自本身的线宽，H形金属结构线宽均为4μm。
2.根据权利要求1所述的一种频率可调太赫兹多带吸收器，其特征在于，所述可旋转平台以45°为间隔旋转。
3.根据权利要求1所述的一种频率可调太赫兹多带吸收器，其特征在于，所述损耗介质层(2)采用介电常数为3.5、损耗角正切为0.0027、厚度为8μm的聚酰亚胺制成。
4.根据权利要求3所述的一种频率可调太赫兹多带吸收器，其特征在于，所述吸收单元对应的晶格常数P为150μm。
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