[发明专利]一种高分子保护砷烯纳米片的方法

权利要求书

1.一种高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，包括如下步骤：将砷原料沉积于片状载体上得到砷烯纳米片，然后将高分子溶液通过旋涂法，均匀地涂布在砷烯纳米片表面，然后加热烘干。

2.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，所述的砷原料为砷块或者砷粉。

3.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，所述的片状载体为云母片、硅片、氧化硅片、塑料片或树脂片。

4.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，所述的沉积方法为：将砷原料放置于管式炉膛中央，片状载体放置于下游，加热，使砷原料成为砷蒸汽，以氢气为载气传输砷蒸汽，使砷蒸汽沉积于温度相对低的片状载体上，从而得到生长于片状载体上的砷烯纳米片。

5.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，所述的旋涂法为：将生长有砷烯纳米片的片状载体吸附于旋涂仪上，涂布高分子溶液。

6.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，高分子溶液为聚乙二醇、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种溶于相应的溶剂中；所述溶剂为水溶液、氮-甲基吡咯烷酮溶液、苯甲醚溶液、乙醇溶液中的一种，或多种的混合溶液。

7.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，所述的旋涂速度为1000～5000r/min，旋涂时间为10～200s。

8.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，所述的烘干温度为50～120℃，所述的时间为5～20分钟。

9.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，所述的保护砷烯纳米片的方法，可以解除保护。

10.根据权利要求1所述的高分子保护砷烯纳米片的方法，其特征在于，所述的解除保护的方法为：利用溶剂将砷烯纳米片表面的高分子溶解，从而解除保护，且不影响砷烯纳米片本征性质。