[发明专利]半导体结构中二极管的电参数的测试方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构中二极管的电参数的测试方法。所述方法包括：形成半导体结构；将测试设备的第一测试头与所述第一导电类型掺杂区接触、第二测试头与所述第二导电类型掺杂区接触，测试由第二导电类型掺杂区和第一导电类型阱区组成的二极管的电参数。本发明通过在第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区之间设置隔离区，将第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区隔离开，从而可以通过与第一导电类型掺杂区接触的第一测试头和与第二导电类型掺杂区接触的第二测试头，准确地测出由第二导电类型掺杂区和第一导电类型阱区组成的二极管的电参数。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体结构中二极管的电参数的测试方法。

背景技术

半导体最基本的器件为二极管(Diode)，对0.18微米～0.13微米的工艺，通常会用到3种阱，N阱(NW)，P阱(PW)和深N阱(DNW),其中客户需要用到双极型晶体管(BJT)或者金属氧化物半导体晶体管(Isolation MOS)时设置DNW。这样就会存在PW-NW和PW-DNW两种二极管(Diode),如何设置版图(Layout)结构来测试二极管(Diode)的电参数至关重要。

由于DNW的注入比较深，必须借助同类型的上层阱(即NW)引出来，然后将测试设备的两个测试端(例如两个探针)一端接NW、一端接PW来测试PW-DNW这个二极管的电参数，例如反向电压(BV)和结电容。但是由于NW和PW是接触的，会形成PW-NW二极管，而PW-NW这个二极管的反向电压(BV)比较低，因此这样测试测出的实际上是PW-NW这个二极管的反向电压，并不能如实反映PW-DNW这个二极管的反向电压。

发明内容

基于此，有必要针对PW-DNW二极管的电性能测试问题，提供一种新的半导体结构中二极管的电参数的测试方法。

一种半导体结构中二极管的电参数的测试方法，包括：步骤A，形成半导体结构；所述半导体结构包括第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区、第一导电类型阱区及隔离区，所述隔离区位于所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区之间，所述隔离区将所述第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区隔离；所述第一导电类型阱区的一部分位于所述第一导电类型掺杂区的下方并与所述第一导电类型掺杂区接触、一部分位于所述第二导电类型掺杂区的下方并与所述第二导电类型掺杂区接触，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；步骤B，将测试设备的第一测试头与所述第一导电类型掺杂区接触、第二测试头与所述第二导电类型掺杂区接触，测试由第二导电类型掺杂区和第一导电类型阱区组成的二极管的电参数。

在其中一个实施例中，所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一导电类型阱区的掺杂浓度。

在其中一个实施例中，所述第一导电类型掺杂区设于所述第二导电类型掺杂区的外围，从而在平面上将所述第二导电类型掺杂区包围。

在其中一个实施例中，所述隔离区与所述第一导电类型阱区是在同一步掺杂工艺中形成。

在其中一个实施例中，所述步骤A包括：获取衬底；在所述衬底中掺杂形成所述第一导电类型阱区；在所述衬底中分别掺杂形成所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区之间的第一导电类型阱区作为所述隔离区。

在其中一个实施例中，所述第一导电类型阱区的注入深度均比所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的注入深度深1微米～2微米。

在其中一个实施例中，步骤B测试的电参数包括反向电压和结电容。

在其中一个实施例中，所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的掺杂浓度相同。

在其中一个实施例中，所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的注入深度相同。

在其中一个实施例中，第二导电类型掺杂区的注入深度为0.5微米～1微米。