[发明专利]一种钙钛矿太阳电池的电子传输层及其制备方法有效
| 申请号： | 201910003264.5 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109728171B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李燕;周勇;王丽爽;姚建洮;董会 | 申请（专利权）人： | 西安石油大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙) 44867 | 代理人： | 邓爱军 |
| 地址： | 710065 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 太阳电池 电子 传输 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钙钛矿太阳电池的电子传输层，其特征在于，由掺杂了Sm3+离子的TiO2即TiO2:Sm3+，和掺杂了Eu3+离子的ZnGa2O4即ZnGa2O4:Eu3+两层薄膜组成，TiO2:Sm3+沉积在掺氟氧化锡基体(FTO)上，ZnGa2O4:Eu3+沉积在TiO2:Sm3+上，TiO2:Sm3+薄膜和ZnGa2O4:Eu3+薄膜之间存在清晰的界面，TiO2:Sm3+薄膜和ZnGa2O4:Eu3+薄膜均呈现均匀致密全覆盖的状态；所述的TiO2:Sm3+薄膜中Sm元素的掺杂量占TiO2:Sm3+薄膜总质量的百分比为3～6％，ZnGa2O4:Eu3+薄膜中Eu元素的掺杂量占ZnGa2O4:Eu3+薄膜总质量的百分比为4～8％。
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳电池的电子传输层，其特征在于，所述的TiO2:Sm3+薄膜和ZnGa2O4:Eu3+薄膜的厚度均为40-100nm。
3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳电池的电子传输层，其特征在于，所述的TiO2:Sm3+薄膜由尺寸小于10纳米的TiO2:Sm3+纳米颗粒组成。
4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳电池的电子传输层，其特征在于，所述的ZnGa2O4:Eu3+薄膜由尺寸小于15纳米的ZnGa2O4:Eu3+纳米颗粒组成。
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