[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，具有核心区和阶梯区，所述阶梯区具有邻近所述核心区的顶部选择区，所述顶部选择区具有最靠近所述核心区的第一阶梯，其中所述第一阶梯在所述三维存储器的延伸面上的投影图形具有多个角，所述多个角中的至少一个是倒角。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述倒角是倒直角、倒圆角或者对倒直角再进行一次或多次倒角处理得到的倒角。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一阶梯的所述投影图形具有两个角，分别位于所述第一阶梯的两端。

4.如权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，所述顶部选择区包括位于所述核心区的相对两侧的第一顶部选择区和第二顶部选择区，所述第一顶部选择区和所述第二顶部选择区分别具有所述第一阶梯。

5.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述顶部选择区中所述第一阶梯以外的各个阶梯在所述三维存储器的延伸面上的投影图形的角为直角。

6.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为3D NAND闪存。

7.一种光掩模，包括用于制造三维存储器的阶梯区中的顶部选择区的掩模图案，所述掩模图案具有多个角，用于形成所述顶部选择区中最靠近所述三维存储器的核心区的第一阶梯，其中所述多个角中的至少一个是倒角。

8.如权利要求7所述的光掩模，其特征在于，所述倒角是倒直角、倒圆角或者对倒直角再进行一次或多次倒角处理得到的倒角。

9.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和阶梯区，所述阶梯区具有邻近所述核心区的顶部选择区；

在所述顶部选择区形成最靠近所述核心区的第一阶梯，所述第一阶梯在所述半导体结构的延伸面上的投影图形具有多个角，所述多个角中的至少一个是倒角。

10.如权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述倒角是倒直角、倒圆角或者对倒直角再进行一次或多次倒角处理得到的倒角。

11.如权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述第一阶梯的所述投影图形具有两个角，分别位于所述第一阶梯的两端。

12.如权利要求9或10所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述顶部选择区包括位于所述核心区的相对两侧的第一顶部选择区和第二顶部选择区，其中在所述第一顶部选择区和所述第二顶部选择区分别形成所述第一阶梯。

13.如权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述顶部选择区形成所述第一阶梯以外的各个阶梯，其中各个阶梯在所述三维存储器的延伸面上的投影图形的角为直角。