[发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板

说明书

本发明公开了阵列基板及制作方法、显示面板。该方法包括：提供基板，所述基板上限定有显示区，以及沿着所述显示区对称设置的第一周边电路区和第二周边电路区；以及在所述基板的所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置薄膜晶体管，所述设置薄膜晶体管的步骤包括：在所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置非晶硅层，对所述非晶硅层进行退火处理，以形成多晶硅层，其中，应用于所述第一周边电路区的退火掩膜版，与应用于所述第二周边电路区的退火掩膜版相同。由此，第一周边电路区与第二周边电路区使用相同的退火掩膜版，可以减少退火掩膜版的更换次数，降低制备难度，提高工作效率，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及阵列基板及制作方法、显示面板。

背景技术

低温多晶硅(LTPS)具有较高的迁移率，适合应用于电流驱动型的阵列基板中。目前阵列基板上多晶硅的制备，通常采用低温多晶硅技术，其中，周边电路区中多晶硅的制备过程通常如下：首先，在阵列基板上制备一层非晶硅层，随后，通过区域化激光退火技术(MLA)对非晶硅层进行退火处理，以形成多晶硅，作为薄膜晶体管的有源层使用。除去显示区中用于控制每个子像素的薄膜晶体管以外，显示区外围的周边电路区中也具有多个薄膜晶体管，与其他电子元件构成控制电路，以控制显示区中的薄膜晶体管。周边电路通常沿着显示区对称设置在其两侧，且显示区两侧的周边电路中的元件，通常是呈镜像对称排列的。因此，在进行区域化激光退火时，则需要引入多种退火掩膜版。

然而，目前的阵列基板及制作方法、显示面板仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种制作阵列基板的方法。该方法包括：提供基板，所述基板上限定有显示区，以及沿着所述显示区对称设置的第一周边电路区和第二周边电路区；以及在所述基板的所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置薄膜晶体管，所述设置薄膜晶体管的步骤包括：在所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置非晶硅层，对所述非晶硅层进行退火处理，以形成多晶硅层，其中，应用于所述第一周边电路区的退火掩膜版，与应用于所述第二周边电路区的退火掩膜版相同。由此，第一周边电路区与第二周边电路区使用相同的退火掩膜版，可以减少退火掩膜版的更换次数，降低制备难度，提高工作效率，降低生产成本。

根据本发明的实施例，所述第一周边电路区中的多晶硅层相对于所述第一周边电路区的位置，与所述第二周边电路区中的多晶硅层相对于所述第二周边电路区的位置一致。由此，可以有效降低周边电路区的结晶复杂程度，使得第一周边电路区和第二周边电路区可以采用相同的退火工序形成多晶硅层，缩短了制备周期，提高了工作效率。

根据本发明的实施例，所述退火掩膜板具有镂空区域，所述第一周边电路区中具有第一预定区域，所述镂空区域的面积大于所述第一预定区域的面积，所述第一预定区域被配置为用于形成所述薄膜晶体管，在所述第一周边电路区进行所述退火处理包括：令所述退火掩膜版的镂空区域在所述基板上的正投影，覆盖所述第一预定区域。由此，基于上述退火掩膜版形成的多晶硅层，在后续步骤中可被刻蚀形成多个有源层，两个周边电路区中的多个有源层的相对位置可相同，或者两个周边电路区中的多个有源层对称设置。

根据本发明的实施例，对所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区的多晶硅层进行刻蚀处理，其中，应用于所述第一周边电路区中的刻蚀掩膜版，与应用于所述第二周边电路区中的刻蚀掩膜版相同。由此，两个周边电路区中的多晶硅层经刻蚀处理后可形成多个有源层，且第一周边电路区中的有源层相对于第一周边电路区的位置，与第二周边电路区中的有源层相对于第二周边电路区的位置相同。