[发明专利]一种微型发光二极管巨量转移的方法及显示器有效
申请号: | 201910001105.1 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109860092B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 安金鑫;高威;朱充沛 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/15 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微型 发光二极管 巨量 转移 方法 显示器 | ||
本发明提供一种微型发光二极管巨量转移方法及微型发光二极管显示器,包括在三种颜色Micro LED阵列上形成金属层,在阵列基板上形成对应的键合金属,采用三种颜色Micro LED阵列和阵列基板金属键合的方式将三种颜色Micro LED分次转移到阵列基板上。本发明通过在三种颜色Micro LED阵列上形成金属层,在阵列基板上形成对应的键合金属,采用三种颜色Micro LED阵列和阵列基板金属键合的方式将三种颜色Micro LED分次转移到阵列基板上,该方法省去了转移头,降低了Micro LED显示器的制造成本,制程简单,可操作性强。
技术领域
本发明涉及LED封装的技术领域,特别涉及一种微型发光二极管巨量转移方法及显示器。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管,具有体积小、亮度高和能耗小的特点,被广泛应用在显示器和照明领域。微型发光二极管(简称Micro LED)是大小达到微米级的LED。
Micro LED显示器具有高效率、高亮度、高可靠度、节能、体积小和厚度小等优势,是新一代显示技术。Micro LED显示器制作过程中,需要将外延片经过一系列工艺制作成一颗一颗的LED,然后将其转移到阵列基板上。因为Micro LED的尺寸特别小,若形成MicroLED显示器所需要转移到阵列基板上的数量特别庞大;这种将数量特别多的微型元件从一个基板上转移到另一个基板上的技术称之为巨量转移。
目前主流的巨量转移技术是通过制作转移头,起到一个过渡的作用;具体操作为先从暂态基板上拾取微元件,再将微元件转移到目的基板上。转移头原理为通过静电力、磁力或者其他力将微元件吸取,再通过释放掉吸取力,实现将微元件转移到目的基板的目的。
为实现量产化,目前基于转移头的巨量转移技术存在以下制约条件:
(1)结构相对复杂
为实现转移头所需的吸取力和满足分批次转移的功能,其结构相对复杂,增加制造难度。
(2)可利用材料较少
根据转移头原理不同,往往需要特定的几种或者某一类材料,选择比较单一。
(3)可持续性较低
转移头为消耗品,可能用一段时间就需要重新制造,可持续性不高。
(4)制造成本较高
基于其结构相对复杂,工艺环节较多;所需特殊材料特殊;是消耗品,它的总体制造成本较高。
发明内容
本发明的目的是提供一种微型发光二极管巨量转移方法,旨在解决现有微型发光二极管巨量转移存在耗材大、制造成本高等问题。
本发明提供一种微型发光二极管巨量转移方法,包括如下步骤:
S1:提供一第一外延片和一第一暂态基板,在所述第一外延片上涂覆第一释放胶并使所述第一外延片通过第一释放胶与第一暂态基板粘合;第一外延片上镀第一金属层,对第一金属层和第一外延片进行图案化处理形成第一种颜色Micro LED阵列;
S2:提供一第二外延片和一第二暂态基板,在所述第二外延片上涂覆第二释放胶并使所述第二外延片通过第二释放胶与第二暂态基板粘合;第二外延片上镀第二金属层,对第二金属层和第二外延片进行图案化处理形成第二种颜色Micro LED阵列;
S3:提供一第三外延片和一第三暂态基板,在所述第三外延片上涂覆第三释放胶并使所述第三外延片通过第三释放胶与第三暂态基板粘合;第三外延片上镀第三金属层,对第三金属层和第三外延片进行图案化处理形成第三种颜色Micro LED阵列;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京中电熊猫液晶显示科技有限公司,未经南京中电熊猫液晶显示科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910001105.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造