[其他]基于ADC的检测电路和基于微处理器的检测电路有效

专利信息
申请号: 201890000087.4 申请日: 2018-07-04
公开(公告)号: CN211377086U 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 韩旺 申请(专利权)人: 深圳市锐明技术股份有限公司
主分类号: H01R13/66 分类号: H01R13/66
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 adc 检测 电路 微处理器
【权利要求书】:

1.一种基于ADC的检测电路,所述ADC具有一个输入端口和一个输出端口,其特征在于,包括:两路以上并联连接在所述ADC的输入端口和地之间检测支路,所述ADC的输入端口通过一第一电阻接电源,每路所述检测支路包括一开关管和一第二电阻,所述开关管的控制端作为检测支路的检测端外接检测节点,所述开关管的低电位端接地,所述开关管的高电位端通过所述电阻接所述ADC的输入端口,所述ADC根据输入端口的电压值确定相应的检测节点的正常或异常状态并在输出端口输出相应的数字信号。

2.如权利要求1所述的基于ADC的检测电路,其特征在于,每条检测支路还包括一限流电阻,所述限流电阻连接在所述检测节点和所述开关管的控制端之间。

3.如权利要求1所述的基于ADC的检测电路,其特征在于,所述开关管为三极管、IGBT或MOSFET。

4.如权利要求3所述的基于ADC的检测电路,其特征在于,所述开关管为NPN型三极管、N型IGBT或N型MOSFET;

NPN型三极管的基极、N型IGBT的门极、N型MOSFET的栅极所述开关管的控制端,NPN型三极管的集电极、N型IGBT的集电极、N型MOSFET的漏极所述开关管的高电位端,NPN型三极管的发射极、N型IGBT的发射极、N型MOSFET的源极所述开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的基于ADC的检测电路,其特征在于,每条检测支路上的所述第二电阻阻值不相等。

6.一种基于微处理器的检测电路,其特征在于,包括权利要求1至5任一项所述基于ADC的检测电路,所述ADC内设或外置于所述微处理器。

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