[发明专利]AB类放大器以及运算放大器在审

专利信息
申请号: 201880100140.2 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN113169716A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 中井贵之 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03F3/26 分类号: H03F3/26;H03F1/02;H03F3/45
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 于丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: ab 放大器 以及 运算放大器
【权利要求书】:

1.一种AB类放大器,具备:

第1输入端子,接受第1输入电流;

第2输入端子,接受第2输入电流;

输出端子;

第1基准电位端子;

第2基准电位端子;

有源负载级,接受所述第1输入电流及所述第2输入电流,变换为第1电压及第2电压;以及

驱动放大器,从所述有源负载级接受所述第1电压及所述第2电压而工作,将电流输出至所述输出端子,

其中,所述驱动放大器构成为具有在所述1基准电位端子及所述第2基准电位端子之间串联连接的第1晶体管及第2晶体管,将所述第1晶体管及所述第2晶体管的连接点连接于所述输出端子,

所述第1晶体管构成为在栅极接受所述第1电压并使第1电流流过,所述第2晶体管构成为在栅极接受所述第2电压并使第2电流流过,

该AB类放大器还具备最小选择器,该最小选择器构成为对所述第1电压及所述第2电压提供反馈,以使所述第1电流及所述第2电流各自的绝对值为所述驱动放大器的静态电流以上。

2.根据权利要求1所述的AB类放大器,其中,

所述最小选择器构成为:

在所述第2晶体管处于负载驱动状态并且所述第1晶体管处于静止状态的情况下,基于所述第1电压与第1基准电压的电压差生成偏置控制电压,

另一方面,在所述第1晶体管处于负载驱动状态并且所述第2晶体管处于静止状态的情况下,基于所述第2电压与第2基准电压的电压差生成所述偏置控制电压,

所述有源负载级根据所述偏置控制电压控制所述第1电压及所述第2电压,以使流过静止状态的晶体管的电流为所述静态电流。

3.根据权利要求2所述的AB类放大器,其中,

所述最小选择器具有:

电压比较器,构成为在所述第1电压小于第3基准电压的情况下输出第1选择控制信号,在所述第1电压大于所述第3基准电压的情况下输出第2选择控制信号;

第1跨导放大器,构成为接受所述第1选择控制信号而工作,将所述第1电压与所述第1基准电压的电压差变换为电流;

第2跨导放大器,构成为接受所述第2选择控制信号而工作,将所述第2电压与所述第2基准电压的电压差变换为电流;以及

有源负载,构成为将对所述第1跨导放大器的输出电流及所述第2跨导放大器的输出电流求和得到的电流变换为所述偏置控制电压并输出至所述有源负载级,

其中,所述有源负载级具有差分放大器,该差分放大器构成为控制所述第1电压及所述第2电压以使所述偏置控制电压与第4基准电压一致。

4.根据权利要求3所述的AB类放大器,其中,

所述电压比较器具有:第3晶体管,构成恒流源;第4晶体管,在栅极接受所述第1电压;以及第5晶体管,在栅极接受所述第3基准电压,与所述第4晶体管构成差分对,

所述第1跨导放大器具有:第6晶体管,在栅极接受所述第1电压;以及第7晶体管,在栅极接受所述第1基准电压,与所述第6晶体管构成差分对,

所述第2跨导放大器具有:第8晶体管,在栅极接受所述第2电压;以及第9晶体管,在栅极接受所述第2基准电压,与所述第8晶体管构成差分对,

所述第6晶体管、所述第7晶体管、所述第8晶体管及所述第9晶体管的阈值电压的绝对值小于所述第3晶体管、所述第4晶体管及所述第5晶体管的阈值电压的绝对值。

5.根据权利要求4所述的AB类放大器,其中,

所述有源负载具有包括第10晶体管及第11晶体管的电流镜电路,

所述第4晶体管、所述第5晶体管、所述第6晶体管、所述第7晶体管、所述第8晶体管及所述第9晶体管分别为第1导电类型晶体管,

所述第10晶体管及所述第11晶体管分别为第2导电类型晶体管。

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