[发明专利]具有中心接头的可磁性调节的扼流圈

权利要求书

1.一种用于在具有至少一个相导体(16，18，19)的高压电网(17)中进行无功功率补偿的装置(1)，所述装置具有至少一个高压接头(8)，所述高压接头被设计为分别与相导体(16)连接，其中针对每个高压接头(8)设置有

-第一和第二铁芯部段(3，4)，所述第一和第二铁芯部段是闭合磁路的一部分，

-第一高压绕组(5)，所述第一高压绕组包围所述第一铁芯部段，

-第二高压绕组，所述第二高压绕组包围第二铁芯部段并且与所述第一高压绕组并联连接，

-至少一个饱和开关支路(10，11)，所述饱和开关支路被设计为用于使至少一个铁芯部段(3，4)饱和并且具有可控的功率半导体开关(20，21，22，23)，和

-控制单元(26)，所述控制单元用于控制所述功率半导体开关(20，21，22，23)，

其特征在于，

至少一个高压绕组具有中心接头，并且在所述高压绕组的绕组端部与所述饱和开关支路连接，并且经由中心接头与所述高压接头(8)连接。

2.根据权利要求1所述的装置(1)，

其特征在于，

所述第一和第二铁芯部段经由上磁轭和下磁轭(51，52)相互连接，其中第一和第二磁轭与装备有中心接头的高压绕组的上端部或下端部(7，9)之间的距离Xo和Xu处于1至20cm的范围内。

3.根据上述权利要求中任一项所述的装置(1)，

其特征在于，

每个高压绕组(5，6)和每个饱和开关支路(10，11)都被布置在填充有绝缘液体的罐体(2)中。

4.根据上述权利要求中任一项所述的装置(1)，

其特征在于，

每个饱和开关支路(10，11)具有至少一个双极子模块(12)，所述双极子模块具有桥式电路，所述桥式电路具有功率半导体开关(20，21，22，23)和直流电压源(24)，使得能够根据对所述功率半导体开关(20，21，22，23)的控制，将所述直流电压源串联连接到至少一个高压绕组(10，11)或者将所述直流电压源桥接。

5.根据权利要求4所述的装置(1)，

其特征在于，

每个子模块(12)形成全桥电路，所述全桥电路具有第一串联电路支路(33)和第二串联电路支路(34)，所述第一串联电路支路和第二串联电路支路分别与所述直流电压源(24)并联连接，每个串联电路支路(33，34)具有由两个功率半导体开关(20，21，22，23)组成的串联电路，其中，所述第一串联电路支路(33)的功率半导体开关(20，21)之间的电位点与所述子模块(12)的第一连接端子(13)连接，所述第二串联电路支路(34)的功率半导体开关(22，23)之间的电位点与所述子模块(12)的第二连接端子(14)连接。

6.根据权利要求4或5所述的装置(1)，

其特征在于，

每个功率半导体开关(20，21，22，23)是具有反并联连接的续流二极管(32)的IGBT(31)、GTO或晶体管开关。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的装置(1)，

其特征在于，

每个直流电压源(24)包括能量存储器。

8.根据权利要求7所述的装置(1)，

其特征在于，

所述能量存储器能够连接到供电网。

9.根据上述权利要求中任一项所述的装置(1)，

其特征在于，

设置补偿绕组(35)，所述补偿绕组与所述高压绕组(5，6)感性耦合，其中所述补偿绕组(36)与至少一个容性作用的组件(35)连接。

10.根据权利要求9所述的装置(1)，

其特征在于，

所述容性作用的组件具有电容器(46)。