[发明专利]半导体封装件、其制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体封装件，其具有：

导体基板；

多个半导体元件，它们与所述导体基板的第1主面接合，具有开关功能；以及

配线用元件，其与所述导体基板的所述第1主面接合，

所述多个半导体元件各自包含：

第1基板；

第1主电极部，其配设于所述第1基板的与所述导体基板相反侧的面；

第2主电极部，其配设于所述第1基板的所述导体基板侧的面，与所述导体基板接合；以及

控制焊盘，其用于对在所述第1主电极部和所述第2主电极部之间流动的电流进行控制，

所述配线用元件包含：

第2基板；

多个第1中继焊盘，它们配设于所述第2基板的与所述导体基板相反侧的面，通过导线与所述多个半导体元件的所述控制焊盘连接；

多个第2中继焊盘，它们配设于所述第2基板的与所述导体基板相反侧的所述面，个数小于或等于所述多个第1中继焊盘的个数；以及

多个配线，它们配设于所述第2基板的与所述导体基板相反侧的所述面，选择性地将所述多个第1中继焊盘和所述多个第2中继焊盘连接，

该半导体封装件还具有：

多个第1导体部件，它们与所述多个半导体元件的所述第1主电极部接合；

多个第2导体部件，它们与所述配线用元件的所述多个第2中继焊盘接合；以及

封装材料，其以使所述多个第1导体部件的与所述导体基板相反侧的面即露出面、所述多个第2导体部件的与所述导体基板相反侧的面即露出面、及所述导体基板的与所述第1主面相反侧的第2主面露出的状态，覆盖所述多个半导体元件、所述配线用元件、所述多个第1导体部件的至少一部分、所述多个第2导体部件的至少一部分、及所述导体基板的所述第1主面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

将所述多个半导体元件和所述导体基板接合的接合材料的熔点比焊料的熔点高。

3.根据权利要求1或2所述的半导体封装件，其中，

所述多个半导体元件和所述导体基板通过银类材料或铜类材料进行烧结接合。

4.根据权利要求1或2所述的半导体封装件，其中，

所述多个半导体元件和所述导体基板被进行了扩散接合。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装件，其中，

还具有保护膜，该保护膜覆盖所述多个半导体元件的端部，并且与所述封装材料相比杨氏模量低。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，

所述保护膜包含聚酰亚胺。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体封装件，其中，

所述导体基板作为主要材料包含铜。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体封装件，其中，

在所述导体基板的所述第1主面中的除了与所述多个半导体元件及所述配线用元件接合的区域之外的区域配设有凹部。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体封装件，其中，

所述导体基板包含内含碳纤维的层叠板。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，

所述碳纤维沿所述多个半导体元件的所述第1基板的平面方向排列。

11.根据权利要求9或10所述的半导体封装件，其中，

所述层叠板作为主要材料包含铝。

12.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体封装件，其中，

所述导体基板包含具有大于或等于3个金属膜的层叠金属膜，

所述大于或等于3个金属膜中的在层叠方向上位于内侧的金属膜的线膨胀系数比在该层叠方向上位于外侧的金属膜的线膨胀系数低。