[发明专利]垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括：

基片；

在所述基片上形成规则图案的多个垂直腔面发射激光器结构，每个垂直腔面发射激光器结构包括第一反射器区域、有源区域和第二反射器区域，其中所述多个垂直腔面发射激光器结构能够同时通电；

第一金属，所述第一金属电连接选定数量而非全部的所述垂直腔面发射激光器结构以使得当仅通电所述选定数量的所述垂直腔面发射激光器结构时，所述选定数量的所述垂直腔面发射激光器结构形成预定的不规则图案的发射器；以及

第二金属，所述第二金属电连接未与所述第一金属电连接的所述垂直腔面发射激光器结构中的至少某些垂直腔面发射激光器结构；

所述第一金属和所述第二金属彼此电绝缘；

在一个工作模式中，所述垂直腔面发射激光器阵列用作规则图案化阵列，而在另一工作模式下，所述垂直腔面发射激光器阵列用作不规则图案化阵列；

所述预定的不规则图案是随机图案或伪随机图案。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述规则图案包括多个行，且每个行中的垂直腔面发射激光器结构等距间隔。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述规则图案包括多个同心圆，且在每个圆中的垂直腔面发射激光器结构等距间隔。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，进一步包括用于每个垂直腔面发射激光器结构的不同触点。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，进一步包括光学组件，在封装过程中，在将所述光学组件固定到所述垂直腔面发射激光器结构上之前，将所述第一金属和所述第二金属沉积到所述光学组件上。

6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述光学组件包括多个光学透镜或光学系统。

7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述有源区域包括多量子阱，所述第一反射器 区域包括n型分布式布拉格反射镜，所述第二反射器 区域包括p型分布式布拉格反射镜。

8.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，进一步包括电连接未电连接所述第一金属或所述第二金属的全部垂直腔面发射激光器结构的第三金属，所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属彼此电绝缘。

9.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述第一金属和所述第二金属是同一金属层的部分。

10.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述第一金属包括第一金属层且所述第二金属包括第二金属层。

11.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括：

基板；

形成规则图案的多个垂直腔面发射激光器结构，每个垂直腔面发射激光器结构包括第一反射器区域、有源区域和第二反射器区域，其中所述多个垂直腔面发射激光器结构通过倒装芯片方法安装在所述基板上且能够同时通电；

第一金属和第二金属，所述第一金属和所述第二金属分别电连接选定数量而非全部的所述垂直腔面发射激光器结构的阳极端和阴极端，以使得当仅通电所述选定数量的所述垂直腔面发射激光器结构时，所述选定数量的所述垂直腔面发射激光器结构形成预定的不规则图案的发射器；以及

第三金属和第四金属，所述第三金属和所述第四金属分别电连接未与所述第一金属和所述第二金属电连接的所述垂直腔面发射激光器结构中的至少某些垂直腔面发射激光器结构的阳极端和阴极端；

在一个工作模式中，所述垂直腔面发射激光器阵列用作规则图案化阵列，而在另一工作模式下，所述垂直腔面发射激光器阵列用作不规则图案化阵列；

所述预定的不规则图案是随机图案或伪随机图案。