[发明专利]用于沉积已蒸发材料的蒸气源、用于蒸气源的喷嘴、真空沉积系统和用于沉积已蒸发材料的方法在审
申请号: | 201880099540.6 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN113166925A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 迈克尔·龙;安德烈亚斯·勒普 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 沉积 蒸发 材料 蒸气 喷嘴 真空 系统 方法 | ||
1.一种用于在真空腔室中在基板(10)上沉积已蒸发材料的蒸气源(100),所述蒸气源(100)包括具有多个喷嘴的分配管(110),所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴(120)包括:
第一喷嘴区段(121),所述第一喷嘴区段沿着喷嘴轴线(A)延伸并具有蒸气释放开口(123);以及
第二喷嘴区段(122),所述第二喷嘴区段位于所述第一喷嘴区段(121)下游,所述第二喷嘴区段包括具有至少部分地朝向喷嘴出口(126)减小的尺寸的成形通道(125)。
2.根据权利要求1所述的蒸气源,其中所述第二喷嘴区段(122)具有相对布置的侧壁(127),以用于使由所述蒸气释放开口(123)释放的已蒸发材料羽流成形,所述侧壁(127)之间的距离在离开所述第一喷嘴区段(121)朝向所述喷嘴出口(126)的方向上减小,特别是从第一距离(D1)减小至第二距离(D2),所述第二距离少于所述第一距离的四分之一。
3.根据权利要求1或2所述的蒸气源,其中所述成形通道的所述尺寸从第一尺寸(D1)连续地减小至第二尺寸(D2),所述第一尺寸特别是约15mm或更大,所述第二尺寸特别是约6mm或更小。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的蒸气源,其中所述成形通道(125)提供具有一形状的喷嘴腔(125),所述形状经构造以改善由所述蒸气释放开口(123)释放的已蒸发材料相对于所述喷嘴轴线(A)的方向性,特别是使得在包含所述喷嘴轴线的至少一个截面平面中,多于70%的羽流通量以相对于所述喷嘴轴线(A)的±12.5°或更小的角度离开所述喷嘴,并且/或者使得多于90%的羽流通量以相对于所述喷嘴轴线的±25°或更小的角度离开所述喷嘴。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的蒸气源,其中所述成形通道的侧壁(127)在至少一个截面平面中具有本质上拋物线形状,特别是其中所述拋物线的顶点位于所述喷嘴出口(126)处。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的蒸气源,其中所述第一喷嘴区段(121)包括沿着所述喷嘴轴线(A)延伸的喷嘴通道(124),所述蒸气释放开口(123)被构造为用于将已蒸发材料羽流释放到所述第二喷嘴区段(122)中的孔口,所述孔口的尺寸小于所述喷嘴出口(126)的尺寸。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的蒸气源,其中
·所述蒸气释放开口(123)和/或所述喷嘴出口(126)具有非圆形形状,特别是其中所述蒸气释放开口和/或所述喷嘴出口为狭缝开口,或
·所述蒸气释放开口和/或所述喷嘴出口相对于所述喷嘴轴线(A)是旋转对称的。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的蒸气源,其中所述蒸气释放开口(123)具有沿着所述喷嘴轴线(A)的第一尺寸和垂直于所述喷嘴轴线(A)的第二尺寸,所述第一尺寸和所述第二尺寸之间的比为1或更大,特别是5或更大。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的蒸气源,其中所述喷嘴出口(126)相对于所述蒸气释放开口的中心提供锥角(α),所述锥角(α)为20°或更大且90°或更小,特别是30°或更大且70°或更小。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的蒸气源,其中所述第一喷嘴区段(121)和所述第二喷嘴区段(122)热接触或一体地提供作为单件部件。
11.一种用于蒸气源的喷嘴(120),包括:
第一喷嘴区段(121),所述第一喷嘴区段具有沿着喷嘴轴线(A)延伸的喷嘴通道(124)以及蒸气释放开口(123),所述蒸气释放开口被构造为用于释放已蒸发材料羽流(115)的孔口;以及
第二喷嘴区段(122),所述第二喷嘴区段位于所述第一喷嘴区段(121)下游并包括成形通道和喷嘴出口(126),所述成形通道经成形以改善由所述孔口释放的已蒸发材料相对于所述喷嘴轴线(A)的方向性。
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