[发明专利]PVD溅射沉积腔室中的倾斜磁控管

权利要求书

1.一种处理腔室，包括：

腔室主体；

基板支撑件，设置于所述腔室主体中；

溅射靶，设置于所述腔室主体中，所述溅射靶具有面对所述基板支撑件的表面；以及

磁控管，设置于所述溅射靶之上，所述磁控管包括磁体，所述磁体具有面对所述溅射靶的端部，所述端部界定一平面，所述平面相对于所述溅射靶的所述表面以锐角倾斜。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述磁控管进一步包括背板，并且所述磁体耦接至所述背板。

3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述磁控管进一步包括连接器，所述连接器设置于所述背板之上。

4.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括马达，所述马达被配置为在操作期间绕着旋转轴旋转所述磁控管且沿着所述旋转轴移动所述磁控管。

5.如权利要求4所述的处理腔室，其中所述马达被配置为在操作期间沿着所述旋转轴连续地移动所述磁控管。

6.如权利要求4所述的处理腔室，其中所述马达被配置为在操作期间沿着所述旋转轴离散地移动所述磁控管。

7.一种处理腔室，包括：

腔室主体；

基板支撑件，设置于所述腔室主体中；

溅射靶，设置于所述腔室主体中，所述溅射靶具有面对所述基板支撑件的表面；以及

磁控管，设置于所述溅射靶之上，所述磁控管包括具有纵向维度的背板，所述纵向维度相对于所述溅射靶的所述表面以第一锐角倾斜。

8.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述第一锐角的范围是从约0.3度至约5度。

9.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述第一锐角的范围是从约1度至约2度。

10.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述磁控管进一步包括耦接至所述背板的多个磁体。

11.一种与溅射靶一起使用的处理腔室，所述处理腔室包括：

腔室主体；

基板支撑件，设置于所述腔室主体中；以及

磁控管，在所述溅射靶安装于所述处理腔室中且位于所述基板支撑件之上时，所述磁控管设置于所述溅射靶之上，所述磁控管包括磁体，所述磁体具有面对所述溅射靶的端部，所述端部界定一平面，所述平面相对于所述溅射靶的面对所述基板支撑件的表面以锐角倾斜。

12.如权利要求11所述的处理腔室，其中所述磁控管进一步包括背板，并且所述磁体耦接至所述背板。

13.如权利要求12所述的处理腔室，其中所述磁控管进一步包括连接器，所述连接器设置于所述背板之上。

14.如权利要求13所述的处理腔室，其中所述背板具有纵向维度，并且所述连接器被放置于所述背板上，使得所述背板在所述纵向维度上关于所述连接器实质对称。

15.如权利要求11所述的处理腔室，其中所述锐角的范围是从约0.3度至约5度。