[发明专利]半导体装置、半导体装置的泄漏检查方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，

所述半导体装置具备：

基板；

半导体器件，设置于所述基板之上；

泄漏检测用器件，设置于所述基板之上；

外壁，设置于所述基板之上，从与所述基板垂直的方向观察时，围着所述半导体器件以及所述泄漏检测用器件进行环绕；

分离壁，设置于所述基板之上，从与所述基板垂直的方向观察时，将被所述外壁包围的区域分离成包含所述半导体器件的区域、和包含所述泄漏检测用器件的区域；

盖，与所述基板对置地设置于所述外壁以及所述分离壁之上，与所述基板、所述外壁以及所述分离壁一起形成与所述半导体器件接触的气密状态的第一中空构造、和与所述泄漏检测用器件接触的气密状态的第二中空构造；以及

端子，与所述泄漏检测用器件电连接，至少一部分向外部露出，

所述泄漏检测用器件的与所述第二中空构造接触的部分的至少一部分为，由腐蚀性金属、或含有腐蚀性金属的合金构成的泄漏检测用部件，

所述外壁具有与所述第二中空构造接触的第一外壁部、和未与所述第二中空构造接触的第二外壁部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一外壁部的至少一部分比所述第二外壁部的厚度薄。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述泄漏检测用器件具有泄漏检测用器件电极，

具有导线，该导线与所述基板接合，并且经由接合线以及导线电极而与所述泄漏检测用器件电极电连接，

所述端子为所述导线。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述泄漏检测用器件具有泄漏检测用器件电极，

具有凸块，该凸块从所述泄漏检测用器件电极形成至所述盖，并与所述泄漏检测用器件电极电连接，

在所述盖设置有与所述凸块电连接的通孔，

具有盖电极，该盖电极设置于所述盖之上，并与所述通孔电连接，

所述端子为所述盖电极。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述泄漏检测用部件由Mo、W、Mg、WSi中的任一个构成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述泄漏检测用器件中，在所述泄漏检测用部件之下形成有由离子化倾向比所述泄漏检测用部件小的金属构成的金属层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述金属层由Au、Pt、Cu、Pd、Ag中的任一个构成。