[发明专利]半导体芯片在审

专利信息
申请号: 201880098738.2 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN112868094A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 中村敏宏;福永太郎 申请(专利权)人: 株式会社索思未来
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/82;H01L27/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柯瑞京
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片,具备:

形成有内部电路的核心区域;

处于所述核心区域与该半导体芯片的外边缘之间的I/O区域;

配置在所述I/O区域的多个I/O单元;和

与该半导体芯片的外部连接的多个外部连接焊盘,

所述多个I/O单元具备:

由在沿该半导体芯片的外边缘的方向即第1方向上排列配置的I/O单元构成的第1单元列;和

由在所述第1方向上排列配置的I/O单元构成且在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1单元列空出给定的间隔配置的第2单元列,

所述多个外部连接焊盘包含:

各自与所述多个I/O单元的任一个连接的多个单元连接焊盘;和

与所述多个I/O单元的哪一个都不连接且与所述多个单元连接焊盘当中用于电源供给的单元连接焊盘连接的增强电源焊盘,

所述增强电源焊盘配置成中心位于所述第1单元列与所述第2单元列之间的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,

所述增强电源焊盘与连接了该增强电源焊盘的单元连接焊盘在所述第1方向上处于相同的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,

所述多个单元连接焊盘包含:

由各自与属于所述第1单元列的I/O单元连接的多个外部连接焊盘构成的第1焊盘群;和

由各自与属于所述第2单元列的I/O单元连接的多个外部连接焊盘构成的第2焊盘群,

所述增强电源焊盘与属于所述第1焊盘群的第1单元连接焊盘以及属于所述第2焊盘群的第2单元连接焊盘连接,且在所述第1方向上处于所述第1单元连接焊盘与所述第2单元连接焊盘之间的位置。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,

所述多个单元连接焊盘包含:

由各自与属于所述第1单元列的I/O单元连接的多个外部连接焊盘构成的第1焊盘群;和

由各自与属于所述第2单元列的I/O单元连接的多个外部连接焊盘构成的第2焊盘群,

所述增强电源焊盘与属于所述第2焊盘群的第2单元连接焊盘连接,且与属于所述第1焊盘群的哪一个单元连接焊盘都不连接,

所述增强电源焊盘处于使得与所述第2单元连接焊盘的中心间距离相比于与属于所述第1焊盘群的任一个单元连接焊盘的中心间距离更短的位置。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,

所述半导体芯片具备多个所述增强电源焊盘,

所述多个增强电源焊盘在所述第1方向上排列配置,且通过布线相互连接。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,

所述半导体芯片具备多个所述增强电源焊盘,

所述多个增强电源焊盘在所述第2方向上排列配置,且通过布线相互连接。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,

在所述第1单元列与所述第2单元列之间的区域具备在所述第1方向上延伸形成的增强电源布线。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片,其中,

所述增强电源布线配置在所述增强电源焊盘与所述第1单元列之间的区域以及所述增强电源焊盘与所述第2单元列之间的区域当中的至少任一方。

9.根据权利要求7所述的半导体芯片,其中,

所述增强电源布线在俯视下与所述增强电源焊盘有重合。

10.根据权利要求7所述的半导体芯片,其中,

所述第1单元列在所述第1方向上分离成由被供给第1电源的I/O单元构成的第1部分和由被供给与所述第1电源不同的第2电源的I/O单元构成的第2部分,

所述多个外部连接焊盘包含与所述多个I/O单元的哪一个都不连接且与所述增强电源布线连接的第2增强电源焊盘,

所述第2增强电源焊盘配置成中心位于所述第1单元列中所述第1部分与所述第2部分之间的区域。

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