[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具备半导体基体，该半导体基体在主面界定出元件区域和包围所述元件区域的周围的周边区域，

在所述元件区域形成有在主电极之间被施加电压而动作的半导体元件，

在所述周边区域配置有外周沟槽，该外周沟槽具有：绝缘膜，其配置于从所述半导体基体的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面；以及导电体膜，其在所述槽的内部配置于所述绝缘膜之上，

所述外周沟槽内的所述导电体膜被设定为比所述半导体元件的负侧的主电极的电位高的电位。

2.一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具备半导体基体，该半导体基体在主面界定出元件区域和包围所述元件区域的周围的周边区域，

在所述周边区域配置有外周沟槽，该外周沟槽具有：绝缘膜，其配置于从所述半导体基体的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面；以及导电体膜，其在所述槽的内部配置于所述绝缘膜之上，

所述半导体基体包括：

第一导电型的第一半导体层，其遍及所述元件区域和所述周边区域而形成；以及

沟道截断区域，其杂质浓度比所述第一半导体层高，该沟道截断区域与所述外周沟槽内的所述导电体膜电连接，并且与所述外周沟槽分离而形成于所述周边区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述外周沟槽与所述沟道截断区域之间的所述半导体基体配置有第一导电型的半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件的正侧的主电极配置于所述半导体基体的下表面，

所述半导体元件的正侧的主电极与所述外周沟槽内的所述导电体膜经由所述半导体基体而电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述外周沟槽与所述元件区域之间配置有多个沟槽，

所述多个沟槽各自具有：绝缘膜，其配置于从所述半导体基体的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面；以及导电体膜，其配置于该绝缘膜之上，

所述外周沟槽内的所述导电体膜的宽度或深度比所述多个沟槽内的所述导电体膜的宽度宽、或更深。