[发明专利]半导体装置用基板在审
| 申请号： | 201880098366.3 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112805822A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 梅田勇治 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;C04B37/02;H01L23/12;H01L23/36;H05K1/02;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 日本国爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用基板 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置用基板，其具备：
陶瓷烧结体，形成为板状，具有第1主面和第2主面；
第1电路板，配置在所述第1主面上，由铜或铝构成；和
第2电路板，配置在所述第2主面上，由铜或铝构成，
所述陶瓷烧结体包含Al、Zr、Y以及Mg，
将陶瓷烧结体中的Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，并将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式(1)成立，
将第1电路板的厚度设为T1mm，将第2电路板的厚度设为T2mm，并将所述陶瓷烧结体的厚度设为T3mm的情况下，下述的式(2)、(3)、(4)成立，
－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427 (1)
1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5 (2)
T1≥T2 (3)
T3≥0.25 (4)。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用基板，其中，
在所述陶瓷烧结体中，下述的式(5)成立，
7.5≤S2≤25 (5)。
3.根据权利要求1所述的半导体装置用基板，其中，
在所述陶瓷烧结体中，下述的式(6)成立，
17.5≤S2≤23.5 (6)。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置用基板，其中，
在所述陶瓷烧结体中，下述的式(7)成立，
0.08＜S1＜1.18 (7)。
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