[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，是输出激光的半导体激光器，该半导体激光器具备：半导体基板；活性层，其经由第一包覆层形成于所述半导体基板的表面侧；表面侧电极，其经由第二包覆层以及接触层形成于所述活性层的与所述半导体基板相反的一侧亦即表面侧；以及背面侧电极，其形成于所述半导体基板的背面侧，

其中，

在所述激光进行往复来共振的前端面和后端面侧的端面区域具备窗结构部，该窗结构部包含电阻形成得比所述活性层的比所述端面区域靠内侧的部分低的低电阻活性层，

将所述接触层的所述前端面侧的端部设为接触层前端，将所述接触层的所述后端面侧的端部设为接触层后端，

输出所述激光的所述前端面侧的所述接触层前端与所述前端面之间的所述激光进行往复的光往复方向的长度为，比所述前端面侧的所述窗结构部的边界与所述前端面之间的所述光往复方向的长度亦即前端面侧窗结构部长度长10μm以上的长度、且为比所述前端面与所述接触层后端之间的所述光往复方向的长度短的长度，

所述背面侧电极的所述前端面侧的端部与所述前端面之间的所述光往复方向的长度为，所述半导体基板的基板厚度的1.2倍以上的长度、且为比所述前端面与所述背面侧电极的所述后端面侧的端部之间的所述光往复方向的长度短的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，

所述接触层后端与所述后端面之间的所述光往复方向的长度为，所述后端面侧的所述窗结构部的边界与所述后端面之间的所述光往复方向的长度亦即后端面侧窗结构部长度以上的长度、且为比所述后端面与所述接触层前端之间的所述光往复方向的长度短的长度，

所述背面侧电极的所述后端面侧的端部与所述后端面之间的所述光往复方向的长度为，所述半导体基板的基板厚度的1.2倍以上的长度、且为比所述后端面与所述背面侧电极的所述前端面侧的端部之间的所述光往复方向的长度短的长度。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其中，

所述接触层后端与所述后端面之间的所述光往复方向的长度为，比所述后端面侧的所述窗结构部的边界与所述后端面之间的所述光往复方向的长度亦即所述后端面侧窗结构部长度长10μm以上的长度、且为比所述后端面与所述接触层前端之间的所述光往复方向的长度短的长度。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器，其中，

在所述前端面和所述后端面形成有覆盖所述窗结构部的覆盖膜，

所述前端面侧的覆盖膜比所述后端面侧的覆盖膜反射率低。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体激光器，其中，

所述窗结构部含有Zn。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体激光器，其中，

所述窗结构部含有Si。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体激光器，其中，

所述第一包覆层和所述第二包覆层由AlGaInP系材料构成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体激光器，其中，

所述半导体基板和所述第一包覆层的导电型为n型，

所述第二包覆层和所述接触层的导电型为p型。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体激光器，其中，

所述半导体基板和所述第一包覆层的导电型为p型，

所述第二包覆层和所述接触层的导电型为n型。