[发明专利]用于二氯硅烷的脱氢的方法

说明书

本发明涉及一种用于二氯硅烷的脱氢的方法，其中在铵盐和/或鏻盐存在的情况下并且在70‑300℃之间的温度下使二氯硅烷与以下中的任一项反应：(A)式(I)R¹‑X(I)的至少一种卤化烃，其中，X＝F、Cl、Br或I并且R¹＝支链或非支链(C₂‑C₂₀)‑烷基基团，支链或非支链(C₂‑C₁₃)‑杂烷基基团，其中碳结构包含彼此独立地选自N、P、S或O的一个或多个杂原子，部分或完全氟化的支链或非支链(C₁‑C₁₀)‑氟烷基基团，支链或非支链(C₂‑C₂₀)‑烯基基团，其中不包括n＝2‑4时的C₂H_4‑nCl_n，支链或非支链(C₂‑C₂₀)‑炔基基团，(C₃‑C₁₄)‑环烷基基团，(C₂‑C₁₃)‑杂环烷基基团，其中环结构包含彼此独立地选自N、P、S或O的一个或多个杂原子，(C₆‑C₁₄)‑芳基基团，(C₅‑C₁₃)‑杂芳基基团，其中环结构包含彼此独立地选自N、P、S或O的一个或多个杂原子，(CH₂)_n‑Ar，其中Ar＝(C₆‑C₁₄)‑芳基基团并且n＝1‑5，其中所有上述基团可以是未取代的，也可以是由卤素、(C₁‑C₄)‑烷氧基、乙烯基、苯基或(C₁‑C₄)‑烷基取代一次或多次的，甲基基团，(CH₂)_nX，其中n＝1‑10并且X＝F、Cl、Br或I，R²‑S‑CH₂基团，其中R²＝(C₁‑C₆)‑烷基或(C₆‑C₁₄)‑芳基，(CH₂)_nSiMe_3‑m‑Cl_m，其中n＝0‑5并且m＝0、1、2、3，(CH₂)_nNH(C＝O)OCH₃，其中n＝1‑5，(CH₂)_nOCH₂(环氧乙烷)，其中n＝1‑5，(CH₂)_nO(C＝O)(C(CH₃)＝CH₂)，其中n＝1‑5，(CH₂)_nNH₂，其中n＝1‑5，(CH₂)_nNH(C＝O)NH₂，其中n＝1‑5，(CH₂)_nNHR，其中n＝1‑5，并且R＝环己基或C₂H₄NH₂；或(B)卤化氢。

技术领域

本发明涉及二氯硅烷的脱氢方法，其中使二氯硅烷在铵盐和/或鏻盐(phosphonium salt)的存在下与至少一种卤化烃或与卤化氢反应。

背景技术

有机卤硅烷，尤其是有机三卤硅烷用作疏水剂或用作有机硅烷的原料。有机硅烷或有机官能硅烷是将反应性有机基团的官能团与烷基硅酸盐的无机官能团结合在一起的杂化化合物。它们可用作有机聚合物和无机材料之间的分子桥。工业上重要的另一应用是用作硅酮的组分。

迄今为止，有效大规模构建C-Si键的唯一方法是氢化硅烷化和Müller-Rochow工艺。氢化硅烷化总是需要有机基团上的双键或三键和Si-H，从而可以形成Si-C键。Müller-Rochow工艺基于单质硅和简单的有机氯化合物诸如MeCl。约300℃的温度对于Müller-Rochow工艺是必要的，这限制了可以使用的物质范围，因为大多数物质都会分解。