[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201880096611.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN112567521B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;华子群;胡思平;王家文;王涛;朱继锋;丁滔滔;王新胜;朱宏斌;程卫华;杨士宁 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一基底；
位于所述第一基底表面的第一键合层，所述第一键合层的材料为包含Si、N和C的介质材料，所述第一键合层内的组分浓度随厚度逐渐发生变化，使得所述第一键合层与所述第一基底界面两侧的材料组分接近；
第二基底，所述第二基底表面形成有第二键合层，所述第二键合层与所述第一键合层表面相对键合固定，所述第二键合层的材料与所述第一键合层的材料相同。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层中，C的原子浓度大于0且小于50％。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层的致密度随厚度增加而逐渐改变。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层的厚度大于
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：贯穿所述第一键合层的第一键合垫；贯穿所述第二键合层的第二键合垫；所述第一键合垫与第二键合垫相对键合连接。
6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一基底；
在所述第一基底表面形成第一键合层，所述第一键合层的材料为包含Si、N和C的介质材料，所述第一键合层内的组分浓度随厚度逐渐发生变化，使得所述第一键合层与所述第一基底界面两侧的材料组分接近；
提供第二基底；
在所述第二基底表面形成第二键合层，所述第二键合层与所述第一键合层的材料相同；
将所述第二键合层表面与所述第一键合层表面相对键合固定。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述第一键合层。
8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合层中，C的原子浓度大于0且小于50％。
9.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合层的致密度随厚度增加而逐渐改变。
10.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合层的厚度大于
11.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成贯穿所述第一键合层的第一键合垫；形成贯穿所述第二键合层的第二键合垫；在将所述第二键合层表面与所述第一键合层表面相对键合固定的同时，将所述第一键合垫与第二键合垫相对键合连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
