[发明专利]多模式滤波器

权利要求书

1.一种多模式滤波器，包括：

多个谐振器主体，所述多个谐振器主体当中的每一个谐振器主体包括电介质材料，所述多个谐振器主体至少包括：

邻近第二谐振器主体的第一谐振器主体；

邻近第二谐振器主体的第三谐振器主体；

邻近第三谐振器主体的第四谐振器主体；

邻近第四谐振器主体的第五谐振器主体；

多个耦合孔径节段，每一个耦合孔径节段被配置来充当对应的一对谐振器主体之间的耦合；

用于把多模式滤波器的输入连接到所述多个耦合孔径节段当中的第一耦合孔径节段的第一通孔，所述第一耦合孔径节段被配置来耦合包括第一谐振器主体和第二谐振器主体的对应的谐振器主体对；

用于把多模式滤波器的输出连接到所述多个耦合孔径节段当中的第二耦合孔径节段的第二通孔，所述第二耦合孔径节段耦合包括第四谐振器主体和第五谐振器主体的对应的谐振器主体对；

与第二谐振器主体和第三谐振器主体接触并且覆盖第二谐振器主体和第三谐振器主体的第一导电材料层，所述第一导电材料层沿着第二谐振器主体与第三谐振器主体之间的第一接口延伸，所述第一接口具有定义其边界的一组四个角落；并且

其中，第三耦合孔径节段和第四耦合孔径节段被配置在第二谐振器主体与第三谐振器主体之间的第一接口处的第一导电材料层中，第三耦合孔径节段和第四耦合孔径节段分别具有三角形形状，其中第三耦合孔径节段被定位在第一接口的第一角落中并且第四耦合孔径节段被定位在第一接口的第二角落中，从而使得第三耦合孔径节段和第四耦合孔径节段彼此对角线相对。

2.根据权利要求1所述的多模式滤波器，还包括：

与第四谐振器主体接触的第二导电材料层，所述第二导电材料层沿着第三谐振器主体与第四谐振器主体之间的第二接口延伸，所述第二接口具有定义其边界的一组四个角落；并且

其中，第五耦合孔径节段和第六耦合孔径节段被配置在第三谐振器主体与第四谐振器主体之间的第二接口处的第二导电材料层中，第五耦合孔径节段和第六耦合孔径节段分别具有三角形形状，其中第五耦合孔径节段被定位在第二接口的第一角落中并且第六耦合孔径节段被定位在第二接口的第二角落中，从而使得第五耦合孔径节段和第六耦合孔径节段彼此对角线相对。

3.根据权利要求1所述的多模式滤波器，其中，耦合包括第一谐振器主体和第二谐振器主体的对应的谐振器主体对的第一耦合孔径节段被定位成使其一部分覆盖第一谐振器主体的中心部分。

4.根据权利要求1所述的多模式滤波器，其中，耦合包括第四谐振器主体和第五谐振器主体的对应的谐振器主体对的第二耦合孔径节段被定位成使其一部分覆盖第五谐振器主体的中心部分。

5.根据权利要求1所述的多模式滤波器，其中，所述多个谐振器主体当中的每一个谐振器主体是长方体。

6.根据权利要求1所述的多模式滤波器，其中，第一谐振器主体、第二谐振器主体、第四谐振器主体和第五谐振器主体分别具有单一谐振模式，并且第三谐振器主体具有多种谐振模式。

7.根据权利要求1所述的多模式滤波器，其中，所述多个谐振器主体被安排形成具有多种谐振模式的单个谐振器。

8.根据权利要求7所述的多模式滤波器，其中，第一谐振器主体可操作来控制所述多种谐振模式当中的特定一种的电场和磁场。

9.根据权利要求2所述的多模式滤波器，其中，所述单个谐振器是末端抽头哑铃形状半波长低Q谐振器。

10.根据权利要求7所述的多模式滤波器，其中，第一谐振器主体和第五谐振器主体适于被耦合来包含与所述单个谐振器相关联的电场和磁场。