[发明专利]用于有机发光二极管的具有高折射率纳米颗粒的光抽取结构在审
| 申请号： | 201880096416.4 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112823435A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 谢尔盖·阿纳托莱维奇·库钦斯基;迪帕克宾·卡西姆·乔杜里;德米特里·弗拉迪斯拉沃维奇·库森科夫;李柱永;迈克尔·梅尔尼克;尹洪 | 申请（专利权）人： | 康宁公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 有机 发光二极管 具有 折射率 纳米 颗粒 抽取 结构 | ||
1.一种有机发光二极管(OLED)组件，包括：
二极管上部结构，包括阴极、具有na的折射率的阳极、及介于所述阴极与所述阳极之间的有机发光半导体材料；及
光衍射子结构，提供来自所述二极管上部结构的光的散射横截面，
其中所述光衍射子结构包括：透明基板、与所述基板接触且具有ns的折射率的多个纳米颗粒、及位于所述纳米颗粒上方且具有np的折射率的平坦化层，及
其中np是在na的25％内，且nsnp，及
进一步地其中ns≥约1.9。
2.根据权利要求1所述的OLED组件，其中所述多个纳米颗粒包括钛酸钡或氧化钡。
3.根据权利要求1所述的OLED组件，其中所述平坦化层具有从约1微米到约10微米的厚度。
4.根据权利要求1所述的OLED组件，其中所述透明基板包括具有从约1.4到约1.55的折射率的玻璃组成。
5.根据权利要求1所述的OLED组件，其中ns为从约1.9到约2.7，np为从约1.7到约2.1，且ns与np之间的差为至少0.5。
6.一种有机发光二极管(OLED)组件，包括：
二极管上部结构，包括阴极、具有na的折射率的阳极、及介于所述阴极与所述阳极之间的有机发光半导体材料；及
光衍射子结构，提供来自所述二极管上部结构的光的散射横截面，
其中所述光衍射子结构包括：透明基板、与所述基板接触且具有ns的折射率的多个纳米颗粒、及位于所述纳米颗粒上方且具有np的折射率的平坦化层，及
其中np是在na的25％内，且nsnp，
其中ns≥约1.9，及
进一步地其中所述多个纳米颗粒的尺寸的范围从约200nm到约30微米，且所述多个纳米颗粒被布置在所述基板上的单层中。
7.根据权利要求6所述的OLED组件，其中所述多个纳米颗粒包括钛酸钡或氧化钡。
8.根据权利要求6所述的OLED组件，其中所述平坦化层具有从约1微米到约10微米的厚度。
9.根据权利要求6所述的OLED，其中所述透明基板包括具有从约1.4到约1.55的折射率的玻璃组成。
10.根据权利要求6所述的OLED组件，其中ns为从约1.9到约2.7，np为从约1.7到约2.1，且ns与np之间的差为至少0.5。
11.根据权利要求6所述的OLED组件，其中所述多个纳米颗粒的尺寸的范围从约200nm到约2微米。
12.根据权利要求6所述的OLED组件，其中所述多个纳米颗粒嵌入在子层内，所述子层具有大约等于所述基板的所述折射率的折射率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
