[发明专利]半导体装置、延迟电路和相关方法

权利要求书

1.一种RC延迟电路，其包括：

第一RC负载反相器，所述第一RC负载反相器包含：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管可操作地耦合为具有公共输入和公共输出节点的反相器；

电阻器，所述电阻器可操作地耦合在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间；以及

电容器，所述电容器可操作地耦合在所述公共输出节点处；以及

延迟元件，所述延迟元件耦合在所述第一RC负载反相器的所述公共输出节点处，所述第一RC负载反相器配置为对从所述第一RC负载反相器接收的信号执行反相器操作，

其中所述RC延迟电路配置为在备用模式期间响应于复位信号而上拉所述第一RC负载反相器的所述公共输出节点的电压电平。

2.根据权利要求1所述的RC延迟电路，其中所述延迟元件包含不表现RC时间常数的反相器。

3.根据权利要求1所述的RC延迟电路，其中所述延迟元件包含与非门，所述与非门配置为在激活模式期间响应于所述复位信号执行反相器操作。

4.根据权利要求1所述的RC延迟电路，其中所述备用模式是备用激活模式或备用预充电模式中的一者。

5.根据权利要求1所述的RC延迟电路，其中所述第一RC负载反相器进一步包含可操作地耦合在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第三晶体管，所述第三晶体管配置为响应于所述复位信号而被使能。

6.一种操作半导体装置的方法，所述方法包括：

在延迟路径中具有多个延迟级的RC延迟电路处接收输入信号；

在所述RC延迟电路的激活模式期间生成延迟的输出信号；以及

在所述RC延迟电路的备用模式期间，响应于复位信号而将所述延迟路径的至少一个节点拉至电压电平。

7.根据权利要求6所述的方法，其中生成所述延迟的输出信号包含：

通过所述RC延迟电路的第一RC负载反相器施加第一延迟，所述第一RC负载反相器在所述RC延迟电路的第一节点上表现第一时间常数；以及

通过所述RC延迟电路的第二RC负载反相器施加第二延迟，所述第二RC负载反相器在所述RC延迟电路的第二节点上表现第二时间常数。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括响应于相同的复位信号而将所述第一节点和所述第二节点设置为电压电平。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括响应于不同的复位信号而将所述第一节点和所述第二节点设置为电压电平。

10.一种半导体装置，其包括：

第一RC负载反相器，所述第一RC负载反相器包含：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管可操作地耦合为具有公共输入和公共输出节点的反相器；

电阻器，所述电阻器可操作地耦合在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间；以及

电容器，所述电容器可操作地耦合在所述公共输出节点处；以及

延迟元件，所述延迟元件耦合在所述第一RC负载反相器的所述公共输出节点处，所述第一RC负载反相器配置为对从所述第一RC负载反相器接收的信号执行反相器操作，

其中RC延迟电路配置为在备用模式期间响应于复位信号而上拉所述第一RC负载反相器的所述公共输出节点的电压电平。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述延迟元件包含不表现RC时间常数的反相器。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述延迟元件包含与非门，所述与非门配置为在激活模式期间响应于所述复位信号执行反相器操作。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述备用模式是备用激活模式或备用预充电模式中的一者。