[发明专利]发光装置、发光装置的制造方法、发光装置的制造装置

说明书

发光装置(2)包括第一电极(6)、第二电极(18)、在所述第一电极(6)和所述第二电极(18)之间的量子点层(12)，在所述量子点层(12)中层叠有量子点(20)，该量子点(20)包含核(22)、覆盖该核(22)的壳(24)、在该壳(24)的表面配位且具有缺陷补偿性的配体(26)。

技术领域

本发明涉及一种发光装置，其包括含有量子点的发光元件。

背景技术

近年来,实现了使用量子点(Quantum dot)构成发光元件，并实现了包含该发光元件的发光装置的开发、实用化。在这样的发光装置中使用的量子点中,例如,如下述专利文献1中记载,使用由2～100nm的等级的尺寸的粒子(半导体纳米粒子)构成的化合物半导体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特表2007-537886号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而,如上所述的现有的发光装置具有发光元件,该发光元件包括阳极、阴极以及设置在这些阳极和阴极之间的发光层(量子点层),该发光元件利用作为发光层内所包含的发光材料的量子点进行发光。即，在这样的发光元件中，空穴和电子通过阳极和阴极之间的驱动电流在发光层内复合，由此产生的激子从量子点的导带能级(conduction band)迁移到价带能级(valence band)，从而发出光(荧光)。

然而,如上述的现有发光装置中,由于量子点的结构上的缺陷部分,存在发光效率降低的问题。具体而言,空穴和/或电子被量子点中的缺陷部分捕获,这些空穴和/或电子无助于发光而失活,产生发光效率降低的问题。

鉴于上述问题,本发明的目的在于提供能够防止因量子点的缺陷部分而导致发光效率降低的发光装置、发光装置的制造方法以及发光装置的制造装置。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明涉及的发光装置是一种包括第一电极、第二电极、包含所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层的发光元件，在所述量子点层中层叠有多个量子点，所述多个量子点包含核、覆盖所述核的壳、在所述壳的表面配位并具有缺陷补偿性的配体。

此外，本发明涉及的发光装置的制造方法是包含发光元件的发光装置的制造方法，所述发光元件包括第一电极、第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的所述量子点层，所述发光装置的制造方法包括：合成工序，合成量子点和配体，所述量子点包含核以及覆盖所述核的壳，所述配体具有缺陷补偿性；配位工序，使所述配体在所述量子点的所述壳的表面配位；成膜工序，由在溶剂中分散有所述量子点的溶液，形成所述量子点层叠而成的所述量子点层，所述量子点配位有所述配体。

此外，本发明涉及的发光装置的制造装置是制造包含发光元件的发光装置的制造装置，所述发光元件包括第一电极、第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的所述量子点层，所述发光装置的制造装置包括：合成装置，合成量子点和配体，所述量子点包含核以及覆盖所述核的壳，所述配体具有缺陷补偿性；配位装置，其使所述配体在所述量子点的所述壳的表面配位；成膜装置，其由在溶剂中分散有所述量子点的溶液，形成所述量子点层叠而成的所述量子点层，所述量子点配位有所述配体。

有益效果

由于量子点中具有缺陷补偿性的配体配位于覆盖核的壳,因此能够防止因该量子点的缺陷部分而引起的发光效率降低。

附图说明

图1是说明本发明的第一实施方式涉及的发光装置的图,图1(a)是上述发光装置的剖面图,图1(b)是说明上述发光装置所具备的量子点的图。

图2是说明上述发光装置的制造方法的一例的图。