[发明专利]具有多个测量通道的X射线荧光分析仪和用于执行X射线荧光分析的方法在审
| 申请号: | 201880094863.6 | 申请日: | 2018-04-20 | 
| 公开(公告)号: | CN112313506A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 | 
| 发明(设计)人: | T·科斯基宁;A·佩里;H·西皮拉 | 申请(专利权)人: | 奥图泰(芬兰)公司 | 
| 主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223;B03B13/06;G21K1/06;C22B3/02;G01T1/16 | 
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 | 
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 测量 通道 射线 荧光 分析 用于 执行 方法 | ||
1.一种X射线荧光分析仪,包括:
-X射线管(402),用于沿第一光轴(204)的方向发射入射X射线(206),
-浆料处理单元(201),被配置成维持浆料的样品(202)与所述X射线管之间的恒定距离,
-第一晶体衍射仪(601、1501),相对于所述浆料处理单元(201)沿第一方向定位,所述第一晶体衍射仪(601、1501)包括第一晶体(603、1502),
-第一辐射检测器(602、1505),被配置成以第一能量分辨率检测由所述第一晶体(603、1502)衍射的荧光X射线,
-第二晶体衍射仪(1511),相对于所述浆料处理单元(201)沿第二方向定位,所述第二晶体衍射仪(1511)包括第二晶体(1512),
-第二辐射检测器(1515),被配置成以第二能量分辨率检测由所述第二晶体(1512)衍射的荧光X射线,
其特征在于:
-所述第一晶体(603、1502)为热解石墨晶体,
-所述第二晶体(1512)包括热解石墨以外的材料,以及
-所述第一晶体衍射仪和所述第二晶体衍射仪都被配置成将相同元素的特征荧光辐射导向至其相应的辐射检测器。
2.根据权利要求1所述的X射线荧光分析仪,其中,所述第二晶体(1512)是以下之一:二氧化硅晶体,氟化锂晶体,磷酸二氢铵晶体,邻苯二甲酸氢钾晶体。
3.根据权利要求1或2中的任一项所述的X射线荧光分析仪,其中,在5.9keV的参考能量下,所述第一能量分辨率优于300eV。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪,其中,所述第一辐射检测器(1505)是以下之一:PIN二极管检测器,硅漂移检测器,锗检测器,锗漂移检测器。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪,其中,所述第二辐射检测器(1515)是充气正比计数器。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪,其中,所述元素是金。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪,其中:
-所述浆料处理单元(201)被配置成在面向所述X射线管(402)的一侧维持浆料的所述样品(202)的平直表面,
-所述第一光轴(204)与所述平直表面成一倾斜角度,
-所述第一晶体衍射仪(601、1501)围绕所述第一光轴(204)以旋转角度定位,在该位置处,所述样品(202)的所述平直表面覆盖所述第一晶体衍射仪(601、1501)的视场的最大部分,以及
-所述第二晶体衍射仪(1511)围绕所述第一光轴(204)以另一旋转角度定位。
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的X射线荧光分析仪,其中:
-所述浆料处理单元(201)被配置成在面向所述X射线管(402)的一侧维持浆料的所述样品(202)的平直表面,以及
-所述第一光轴(204)垂直于所述平直表面。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪,其中,所述X射线管(402)的输入功率额定值为至少400瓦。
10.根据权利要求9所述的X射线荧光分析仪,其中,所述X射线管(402)的输入功率额定值为至少1千瓦,优选为至少2千瓦,更优选为至少4千瓦。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪,其中,所述X射线管(402)与所述浆料处理单元(201)之间的光路是直接的,其间没有衍射仪。
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