[发明专利]激光退火方法、激光退火装置及有源矩阵基板的制造方法

权利要求书

1.一种激光退火方法,其特征在于，包括:

工序A，在工作台上配置表面形成有非晶硅膜的基板；

工序B，向所述非晶硅膜的被选择区域的表面供给-100℃以下的第一氮气；

工序C，向被供给所述第一氮气的所述被选择区域发射多个激光束,从而在所述非晶硅膜内形成多个结晶硅岛。

2.根据权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，

在所述工序B之后且所述工序C之前,还包括工序D1,所述工序D1向所述被选择区域供给气氛温度以上的第二氮气。

3.根据权利要求2所述的激光退火方法，其特征在于，

在所述工序B中供给所述第一氮气的压力比在所述工序Dl中供给所述第二氮气的压力高。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光退火方法，其特征在于，

在所述工序B之前,还包括工序D2,所述工序D2向所述被选择区域供给气氛温度以上的第三氮气。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的激光退火方法,其特征在于,

在进行所述工序C的期间还包括工序E，所述工序E向所述被选择区域的下游区域供给气氛温度以上的第四氮气。

6.根据权利要求2或3所述的激光退火方法，其特征在于，

在进行所述工序C的期间还包括如下工序：抽吸所述被选择区域的下游区域上的气氛气体的工序。

7.一种激光退火装置,其特征在于,具有：

载物台，其容纳表面形成有非晶硅膜的基板；

第一氮气供给装置,其向所述非晶硅膜的表面的被选择区域供给-100℃以下的第一氮气；

激光照射装置,其向所述非晶硅膜的表面的被选择区域内发射多个激光束，

所述第一氮气供给装置和所述激光照射装置能够相对于所述载物台上的所述基板相对移动,所述第一氮气供给装置相对于所述基板的相对移动方向，配置在比所述激光照射装置更靠上游的位置。

8.根据权利要求7所述的激光退火装置，其特征在于，

还具有第二氮气供给装置,其配置在所述第一氮气供给装置与所述激光照射装置之间,能够向与所述第一氮气供给装置一起移动的所述非晶硅膜的被选择区域供给气氛温度以上的第二氮气。

9.根据权利要求7或8所述的激光退火装置,其特征在于,

还具有第三氮气供给装置,其配置在所述第一氮气供给装置的上游,所述第三氮气供给装置朝向能够与所述第一氮气供给装置一起移动的所述非晶硅膜的被选择区域供给气氛温度以上的第三氮气。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的激光退火装置,其特征在于,

还具有第四氮气供给装置,其配置于所述激光照射装置的下游,所述第四氮气供给装置朝向与所述第一氮气供给装置一起移动的所述非晶硅膜的被选择区域供给气氛温度以上的第四氮气。

11.根据权利要求8所述的激光退火装置,其特征在于,

还具有吸气装置,其配置于所述激光照射装置的下游,所述吸气装置能够与所述第一氮气供给装置一起移动并抽吸所述非晶硅膜上的气氛气体。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的激光退火装置,其特征在于,

还具有配置于所述激光照射装置的发射面之下的挡板。

13.根据权利要求7至12中任一项所述的激光退火装置,其特征在于,

所述激光照射装置还具有多个固体激光元件、多个微透镜以及配置于所述多个固体激光元件和所述多个微透镜之间的掩模。

14.一种有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,包括:

通过权利要求1至6中任一项所述的激光退火方法形成多个结晶硅岛的工序；

使用所述多个结晶硅岛形成多个TFT的工序。