[发明专利]用于原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体化合物以及使用其的ALD/CVD工艺有效
| 申请号： | 201880092457.6 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN112020504B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄贞云;文基宁;李珠源;廉圭玄;昔壮衒;朴正佑 | 申请（专利权）人： | 韩松化学株式会社 |
| 主分类号： | C07F5/06 | 分类号： | C07F5/06;C07F3/06;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/18;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 闫茂娟;郗名悦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 原子 沉积 ald 化学 cvd 化合物 以及 使用 工艺 | ||
1.一种化合物，所述化合物由以下化学式1表示：
[化学式1]
在化学式1中，
当M是周期表上的第12族的二价过渡金属时，n是1；
当M是周期表上的第13族的三价过渡金属时，n是2；并且
R1至R5是氢、取代的或未取代的C1至C4直链或支链烷基或其异构体。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中化学式1中的所述M是选自由Al、Zn、In和Ga组成的组中的任何一种。
3.根据权利要求1所述的化合物，其中化学式1中的所述R1至R5是选自由氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基及其异构体组成的组中任何一种。
4.根据权利要求1所述的化合物，其中所述R1是甲基；
所述R2和R3是氢或甲基；
所述R4是叔丁基；并且
所述R5是甲基或乙基。
5.根据权利要求1所述的化合物，其中所述化学式1是选自由Al(CH3)2[CH3OC(CH3)2CH2NtBu]、Al(CH3)2[CH3OCH(CH3)CH2NtBu]、Al(CH3)2[CH3OCH2CH2NtBu]、Zn(CH3)[CH3OCH2CH2NtBu]、Zn(CH3)[CH3OC(CH3)2CH2NtBu]、Zn(Et)[CH3OC(CH3)2CH2NtBu]、In(CH3)2[CH3OCH2CH2NtBu]和Ga(CH3)2[CH3OCH2CH2NtBu](其中Et是乙基并且tBu是叔丁基)组成的组中的任何一种。
6.一种前体，所述前体包括权利要求1至5中任一项所述的化合物。
7.一种制造薄膜的方法，所述方法包括将包括根据权利要求1至5中任一项所述的化合物的前体引入至反应器中。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法包括原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法包括使用选自由氧化剂、氮化剂和还原剂组成的组中的至少一种。
10.根据权利要求7所述的方法，其中所述薄膜包括氧化物膜、氮化物膜或金属膜。
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