[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 201880091453.6 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN111886675A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 折坂昌幸;佐藤雅伸;基村雅洋;光吉一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;
一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;以及
狭缝板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,形成有多个将长轴顺着所述多张基板的排列方向的狭缝,所述多个狭缝以彼此平行的位置关系形成,
在从所述基板的排列方向观察所述狭缝板的情况下,所述处理槽的中央区域和与所述中央区域相比位于所述一对喷出管侧的外区域这两个区域中的所述多个狭缝中,所述外区域中的狭缝的宽度比所述中央区域中的狭缝的宽度大。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在从所述基板的排列方向观察所述狭缝板的情况下,所述外区域被划分为与所述中央区域相比位于所述一对喷出管侧的第一外区域、和位于所述中央区域与所述第一外区域之间的第二外区域,
所述多个狭缝的宽度按照所述中央区域、所述第二外区域、所述第一外区域的顺序变大。
3.一种基板处理装置,其使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;
一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;
狭缝板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,形成有多个将长轴顺着所述多张基板的排列方向的狭缝,所述多个狭缝以彼此平行的位置关系形成;以及
散热板,其设于所述狭缝板,具有多个沿所述狭缝的长轴配置了长边的板状部件,多个所述板状部件以彼此平行的位置关系朝向所述处理槽的底面侧立起设置。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
在从所述基板的排列方向观察所述散热板的情况下,多个所述板状部件的下端面与所述处理槽的底面之间的距离随着从所述一对喷出管侧趋向所述处理槽的中央而依次变短。
5.一种基板处理装置,其使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;
一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;以及
散热板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,具有多个沿所述多张基板的排列方向配置了长边的板状部件,多个所述板状部件以彼此平行的位置关系朝向所述处理槽的底面侧立起设置,
在从所述基板的排列方向观察所述散热板的情况下,多个所述板状部件的下端面与所述处理槽的底面之间的距离随着从所述一对喷出管侧趋向所述处理槽的中央而依次变短。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述升降部具备:保持基板的下缘中央部的中央部保持部;以及保持从所述基板的排列方向观察的两侧的下缘的一对侧部保持部,
从所述基板的排列方向观察时,多个所述板状部件配置在所述中央部保持部与所述侧部保持部之间。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述一对喷出管在与所述处理槽的底面中央相比更靠前的供给位置供给处理液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880091453.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于生成无线电信号接收选项的模块
- 下一篇:铜陶瓷衬底
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造