[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序

说明书

具有：在处理室内准备基板的工序；以及相对于处理室内的基板，从第一供给部供给惰性气体，从第二供给部供给第一处理气体，从与第一供给部夹着通过第二供给部和基板的中心的直线而设置于相反侧的第三供给部供给惰性气体，在基板上形成膜的工序。在形成膜的工序中，对从第一供给部供给的惰性气体的流量与从第三供给部供给的惰性气体的流量的平衡进行控制。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序。

背景技术

存在作为半导体装置的制造工艺的一个工序而进行在基板上形成膜的处理的情况(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010－118462号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的是提供一种技术，其能够控制在基板上形成的膜的基板面内膜厚分布。

用于解决课题的方案

根据本发明的一个方案，可提供如下技术，其具有：

在处理室内准备基板的工序；以及

相对于所述处理室内的所述基板，从第一供给部供给惰性气体，从第二供给部供给第一处理气体，从与所述第一供给部夹着通过所述第二供给部和所述基板的中心的直线而设置于该第一供给部的相反侧的第三供给部供给惰性气体，在所述基板上形成膜的工序，

在形成所述膜的工序中，对从所述第一供给部供给的惰性气体的流量与从所述第三供给部供给的惰性气体的流量的平衡进行控制，从而调整所述膜的基板面内膜厚分布。

发明的效果

根据本发明，能够控制在基板上形成的膜的基板面内膜厚分布。

附图说明

图1是本发明实施方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的概要结构图，是以纵剖视图来表示处理炉部分的图。

图2是本发明实施方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的局部概要结构图，是以图1的A-A线剖视图来表示处理炉的一部分的图。

图3是本发明的实施方式中适用的基板处理装置的控制器的概要结构图，是以框图来表示控制器的控制系统的图。

图4的(a)、(b)分别为表示本发明的一个实施方式的成膜时序的图。

图5的(a)、(b)分别为表示立式处理炉的变形例的横剖视图，是将反应管、缓冲室和喷嘴等局部地抽出表示的图。

图6的(a)、(b)分别为表示在基板上形成的膜的基板面内膜厚分布的测定结果的图。

图7的(a)、(b)分布为表示在基板上形成的膜的基板面内膜厚分布的测定结果的图。

具体实施方式

＜本发明的一个实施方式＞

以下参照图1～图3、图4的(a)和图4的(b)对本发明的一个实施方式进行说明。

(1)基板处理装置的结构

如图1所示，处理炉202具有作为加热机构(温度调整部)的加热器207。加热器207呈圆筒形状，且被保持板支撑而垂直地安装设置。加热器207也作为利用热使气体活化(进行激励)的活化机构(激励部)发挥功能。